[發明專利]一種鉻基鍍膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201310722606.1 | 申請日: | 2013-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103741105A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 劉永江;劉雪敬;李曉偉;潘峰;王雪 | 申請(專利權)人: | 中國印鈔造幣總公司;北京中鈔鈔券設計制版有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 100044 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鍍膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種鉻基鍍膜,其特征在于,由Cr-Cr2N兩相化合物層組成,所述兩相化合物層中,Cr與Cr2N的摩爾比為1:3-17:1。
2.一種制備權利要求1所述鉻基鍍膜的方法,其包括如下步驟:
(1)在鍍膜室內,分別以30-120sccm、80-170sccm的流量同時通入氮氣和惰性工作氣體,采用磁控濺射法,通過設置于鍍膜室內的鉻靶對基材表面進行鍍制形成鍍層,鍍制時間為10-40min,鍍制溫度為25-200℃;
(2)以80-170sccm的流量通入惰性工作氣體,采用反濺射法對步驟(1)形成的所述鍍層的表面進行活化,所述反濺射時間為5-20min;
(3)重復步驟(1)-(2)中的操作0-6遍,之后分別以30-120sccm、80-170sccm的流量同時通入氮氣和惰性工作氣體,采用磁控濺射法,在25-200℃的條件下,通過設置于鍍膜室內的鉻靶繼續鍍制10-40min,即得所述鉻基鍍膜。
3.根據權利要求2所述的鉻基鍍膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,鍍膜室內的所述鉻靶為3-6對孿生鉻靶。
4.根據權利要求2或3所述的鉻基鍍膜的制備方法,其特征在于,所述鉻靶為平行設置。
5.根據權利要求2-4任一所述的鉻基鍍膜的制備方法,其特征在于,所述鉻靶的長度不小于1.2m。
6.根據權利要求2-5任一所述的鉻基鍍膜的制備方法,其特征在于,所述鉻基鍍膜的厚度為2.5-10.0μm。
7.根據權利要求2-6任一所述的鉻基鍍膜的制備方法,其特征在于,所述惰性工作氣體為氬氣。
8.一種包括權利要求1-7任一所述鉻基鍍膜的耐磨層,其特征在于,還包括位于所述鉻基鍍膜和所述基材表面之間的Cr過渡層和/或位于所述鉻基鍍膜外側的Cr平滑層,所述Cr過渡層和所述Cr平滑層的鍍制方法為:以80-110sccm的流量通入惰性工作氣體,采用磁控濺射法,通過設置于鍍膜室內的鉻靶進行鍍制形成鍍層,鍍制時間為10-40min;鍍制溫度為25-200℃。
9.根據權利要求8或9所述的耐磨層,其特征在于,所述惰性工作氣體為氬氣。
10.根據權利要求8或9或10所述的耐磨層,其特征在于,所述Cr過渡層、鉻基鍍膜、Cr平滑層的厚度比為0.2-0.6:2.5-10.0:0.2-0.6。
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