[發明專利]用于磁共振成像MRI系統的致冷器和方法

有效

• 申請號: 201310722522.8
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103901371A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: W.沈;T.J.黑文斯;江隆植;S.薩哈;B.J.格羅內邁爾;V.K.莫加塔達卡拉
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: G01R33/38
• 分類號: G01R33/38;G01R33/387
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;湯春龍

1.一種用于磁共振成像MRI系統的致冷器，所述致冷器包括：

其中具有真空的真空殼體；

設置在所述殼體內的致冷劑容器，所述容器內具有冷卻劑；

隔熱罩，所述隔熱罩設置在所述真空殼體與所述致冷劑容器之間；以及

設置在所述殼體內的渦流補償組件，所述渦流補償組件包括多個導電環，所述導電環形成于所述真空殼體、所述致冷劑容器以及所述隔熱罩中的一個上，并且構建用于減少所述MRI系統中由振動引起的渦流。

2.根據權利要求1所述的致冷器，其中所述冷卻劑包括氦。

3.根據權利要求1所述的致冷器，其中所述多個導電環包括非超導材料。

4.根據權利要求3所述的致冷器，其中所述渦流補償組件進一步包括鋁、銅和銀中的一個。

5.根據權利要求4所述的致冷器，其中所述渦流補償組件進一步包括銅帶。

6.根據權利要求1所述的致冷器，其中所述真空殼體、所述致冷劑容器以及所述隔熱罩中的一個的至少一個表面具有：第一部分，所述第一部分具有形成于其中的所述多個導電環；以及第二部分，所述第二部分不具有所述多個導電環；并且

其中所述第一部分具有大于所述第二部分的厚度。

7.根據權利要求6所述的致冷器，其中所述導電環部分和所述非導電環部分包括鋁。

8.根據權利要求1所述的致冷器，其進一步包括將所述渦流補償組件固定于所述真空殼體、所述致冷劑容器以及所述隔熱罩中的一個的至少一個表面上的粘合劑。

9.根據權利要求1所述的致冷器，其中所述渦流補償組件進一步包括：

第一組補償環，所述第一組補償環構建用于減少在軸向方向上引起的渦流；以及

第二組補償環，所述第二組補償環構建用于減少在垂直于所述軸向方向的至少一個方向上引起的渦流。

10.根據權利要求9所述的致冷器，其中所述第二組補償環包括：

一組x方向的補償環；以及

一組y方向的補償環。

11.一種制造磁共振成像MRI設備的方法，所述方法包括：

提供真空容器；

提供氦容器；

提供位于所述真空容器與所述氦容器之間的隔熱罩；

在所述真空容器、所述氦容器以及所述隔熱罩中的一個的表面上形成渦流補償組件，以減少所述MRI設備中由振動引起的渦流，所述渦流補償組件包括多個導電閉環；以及

組裝所述真空容器、所述氦容器以及所述隔熱罩以形成用于容納超導磁體的致冷器。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括使用粘合劑將所述渦流補償組件固定于所述致冷器的所述至少一個表面上。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括將所述渦流補償組件加工成所述致冷器的散裝材料。

14.根據權利要求13所述的方法，其中加工所述渦流補償組件包括：在包括所述渦流補償組件的所述致冷器的一部分中修改所述致冷器的厚度，以使得包括所述渦流補償組件的所述致冷器的所述部分的厚度大于與所述渦流補償組件相鄰的、所述致冷器的一部分的厚度。

15.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在所述真空容器和所述隔熱罩中的一個的內表面上形成所述渦流補償組件。

16.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在所述氦容器和所述隔熱罩中的一個的外表面上形成所述渦流補償組件。

17.一種制造磁共振成像MRI設備的方法，所述設備包括：

磁性組件，所述磁性組件包括超導磁體，所述超導磁體具有穿過其中的孔；

多個梯度線圈，所述梯度線圈定位成圍繞所述超導磁體的所述孔以施加極化磁場；

RF收發器系統；

RF開關，所述RF開關由脈沖模塊進行控制，以將RF信號傳輸到RF線圈組件，從而獲取MR圖像；以及

其中所述磁性組件包括：

圍繞所述超導磁體的氦容器；

圍繞所述氦容器的隔熱罩；

圍繞所述隔熱罩的真空容器；以及

渦流補償組件，所述渦流補償組件包括耦合到所述真空容器、

所述氦容器以及所述隔熱罩中的一個上的導電環矩陣。