[發明專利]凸塊生長制程的保護方法

在審

• 申請號: 201310721960.2
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103700679A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 孫彬;沈麗娟
• 申請（專利權）人: 頎中科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/48
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種凸塊生長制程的保護方法，其包括：

提供待加工的晶圓，所述晶圓上設有裸露出晶圓的上表面的金屬墊及敏感元件；

在晶圓上形成光敏材料層，所述光敏材料層覆蓋住敏感元件裸露出晶圓上表面的區域；

提供光罩，曝光顯影，定位保護敏感元件的光敏材料層；

在整個晶圓上形成凸塊下金屬層；

在位于金屬墊上方的凸塊下金屬層上形成凸塊；

去除凸塊之間的凸塊下金屬層；

去除保護敏感元件的光敏材料層，露出敏感元件。

2.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述光敏材料層還覆蓋住金屬墊。

3.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述晶圓上形成凸塊下金屬層之前，還包括干蝕刻處理，去除金屬墊上的氧化層。

4.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述曝光顯影后，光敏材料層僅保留覆蓋在敏感元件裸露出晶圓上表面的部分。

5.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述凸塊下金屬層通過濺鍍形成。

6.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述凸塊的形成步驟包括黃光、電鍍、去光阻。

7.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述去除保護敏感元件的光敏材料層的方法是采用不會傷害敏感元件的化學藥液清洗。

8.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述敏感元件是微透鏡。

9.如權利要求1所述的凸塊生長制程的保護方法，其特征在于：所述金屬墊是鋁墊。