[發(fā)明專利]一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310721516.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104733586A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津榛發(fā)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 無(wú) | 代理人： | 無(wú) |
| 地址： | 300453 天津市濱海新區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 cob 封裝 技術(shù) led 鋁基板 制造 工藝 | ||
1.一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝，其特征在于，采用了鋁基板陽(yáng)極氧化成膜技術(shù)，它包括（1）鋁基板預(yù)處理；（2）將鋁基板不加工面貼上保護(hù)膜；（3）將鋁基板放入草酸電解液，陽(yáng)極氧化，銅片為陰極；（4）去掉鋁基板不加工面保護(hù)膜；（5）對(duì)氧化鋁層拋光，并使氧化鋁層保持一定的厚度；（6）用去離子水清洗；（7）自然干燥。
2.在根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝，采用了AA6061厚度為1mm的鋁板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝，采用了濃度為40g/l的草酸溶液為電解液，恒流0.5A，不控制濕度的條件下，工作溫度為20攝氏度—32攝氏度，氧化時(shí)間為30分鐘。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝，采用陽(yáng)極氧化成膜技術(shù)，所得到的氧化鋁絕緣層厚度為35um，導(dǎo)熱系數(shù)為22.4W/mK。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于COB封裝技術(shù)的LED鋁基板制造工藝，采用陽(yáng)極氧化成膜技術(shù)，其氧化鋁絕緣層耐壓實(shí)驗(yàn)>2000v。
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