[發明專利]應變層的生長方法以及帶有應變層的襯底

在審

• 申請號: 201310720632.0
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103915317A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 魏星;母志強;薛忠營;狄增峰;方子韋
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種應變層的生長方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，所述襯底包括支撐層，支撐層表面的埋層以及埋層表面的頂層半導體層；

在頂層半導體層和埋層中形成貫通的腐蝕窗口；

通過腐蝕窗口腐蝕埋層，以使頂層半導體層部分懸空；

將所述襯底置于第一溫度下，在頂層半導體層的腐蝕窗口處形成橋接條，所述橋接條的一端與頂層半導體層懸空部分的表面連接，另一端與懸空部分在腐蝕窗口中的相對側表面連接，所述橋接條包括一具有不同熱膨脹系數的雙層膜；

改變所述橋接條的溫度至第二溫度，使所述橋接條內部的雙層膜發生翹曲，從而在懸空的頂層半導體層中引入應變。

2.根據權利要求1所述的應變層的生長方法，其特征在于，所述頂層半導體層的材料選自于鍺、硅以及III-V族化合物半導體中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的應變層的生長方法，其特征在于，所述改變所述橋接條至第二溫度的步驟，進一步是采用提高或者降低環境溫度的方式。

4.根據權利要求1所述的應變層的生長方法，其特征在于，所述改變所述橋接條至第二溫度的步驟，進一步是采用向橋接條中通入電流使其發熱的方式以升高溫度。

5.根據權利要求1所述的應變層的生長方法，其特征在于，所述形成橋接條的步驟進一步包括：

在腐蝕窗口中形成填充層，以平坦化所述頂層半導體層的表面；

在頂層半導體層的表面形成橋接條；

去除填充層。

6.根據權利要求5所述的應變層的生長方法，其特征在于，所述形成橋接條的工藝進一步選自于物理沉積和化學沉積方法中的任意一種。

7.一種應變層的生長方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，所述襯底包括支撐層，支撐層表面的埋層以及埋層表面的頂層半導體層；

在頂層半導體層中形成貫通的腐蝕窗口；

將所述襯底置于第一溫度下，在頂層半導體層的腐蝕窗口處形成橋接條，所述橋接條的兩端均與頂層半導體層表面連接，所述橋接條包括一具有不同熱膨脹系數的雙層膜；

通過腐蝕窗口腐蝕埋層，以使橋接條和部分的頂層半導體層懸空；

改變所述橋接條的溫度至第二溫度，使所述橋接條內部的雙層膜發生翹曲，從而在懸空的頂層半導體層中引入應變。

8.一種帶有應變層的襯底，包括支撐層，支撐層表面的埋層以及埋層表面的頂層半導體層，其特征在于，所述頂層半導體層和埋層中具有一貫通的窗口，所述窗口一側的埋層內陷以使頂層半導體層懸空，在頂層半導體層的窗口處設置一橋接條，所述橋接條的一端與頂層半導體層懸空部分的表面連接，另一端與懸空部分在窗口中的相對側表面連接，所述橋接條采用不同熱膨脹系數的雙層膜制成。

9.根據權利要求8所述的帶有應變層的襯底，其特征在于，所述頂層半導體層的材料選自于鍺、硅以及III-V族化合物半導體中的任意一種。