[發明專利]一種高溫超導Lange耦合器的制備方法

有效

• 申請號: 201310720613.8
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103745924A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 陳宇鵬;楊威風;王曦雯
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十六研究所
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/60
• 代理公司: 合肥天明專利事務所 34115
• 代理人: 奚華保

1.一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

（1）采用高溫超導薄膜加工工藝，在介質基片兩側制作形成超導薄膜層；

（2）采用磁控濺射技術，在超導薄膜層上制作形成金膜層；

（3）采用光刻工藝，在超導薄膜層和金膜層上形成對準參考標記、耦合器線條和電極圖形，得到耦合器交指；

（4）根據耦合器交指，采用金絲鍵合或金膜橋接工藝，制作形成耦合器交指間的互聯。

2.根據權利要求1所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述的采用高溫超導薄膜加工工藝，在介質基片兩側制作形成超導薄膜層的具體過程為：在氧化鎂或鋁酸鑭介質基片上采用濺射或蒸發鍍膜的方式形成超導薄膜層。

3.根據權利要求1所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：步驟（3）中所述的對準參考標記為在金膜層上經過光刻工藝刻蝕形成的長方體凹槽，所述的長方體凹槽的長和寬的范圍均為0.1mm~3mm，所述的長方體凹槽的底面為超導薄膜層與金膜層相接觸的面。

4.根據權利要求1所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：?若步驟（4）中采用金絲鍵合工藝制作形成耦合器交指間的互聯，則步驟（3）中所述的采用光刻工藝，在超導薄膜層和金膜層上形成對準參考標記、耦合器線條和電極圖形，得到耦合器交指的具體過程為：

a.采用光刻工藝在金膜層上刻蝕形成對準參考標記；

b.根據對準參考標記，采用光刻工藝制作形成器件電極與金絲鍵合處的掩膜層和器件圖形的掩膜層；所述的器件電極與金絲鍵合處的掩膜層和器件圖形掩膜層的厚度范圍均為0.5μm~2.2μm；

c.采用離子束或等離子體刻蝕技術，在上述掩膜層上刻蝕形成圖形，得到耦合器交指；

d.采用金絲鍵合工藝制作形成耦合器交指間的互聯。

5.根據權利要求1所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：若步驟（4）中采用金膜橋接工藝制作形成耦合器交指間的互聯，則步驟（3）中所述的采用光刻工藝，在超導薄膜層和金膜層上形成對準參考標記、耦合器線條和電極圖形，得到耦合器交指的具體過程為：

a.?采用光刻工藝在金膜層和超導薄膜層上刻蝕形成對準參考標記、耦合器線條和電極圖形；

b.在上述步驟基礎上，采用射頻濺射工藝，形成介質層并沉積介質層，根據對準參考標記，采用光刻工藝在介質層上刻蝕形成介質圖形并沉積金膜層；

c.在沉積后的金膜上制作形成電極區和跨線的掩膜層，并采用離子束或等離子在掩膜層上進行刻蝕，形成耦合器交指間互聯。

6.根據權利要求4所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：步驟d中所述的采用金絲鍵合工藝中所采用的引線直徑為18μm。

7.根據權利要求5所述的一種高溫超導Lange耦合器的制備方法，其特征在于：所述的金膜沉積中金膜的厚度范圍為0.2μm~1μm。