[發明專利]一種高方阻安全金屬化薄膜

無效

• 申請號: 201310720527.7
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103680946A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 徐湘華;周峰
• 申請（專利權）人: 安徽賽福電子有限公司
• 主分類號: H01G4/015
• 分類號: H01G4/015
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種金屬化薄膜，尤其是一種高方阻安全金屬化薄膜，屬于電子元器件技術領域。

背景技術

目前市場上普遍使用的金屬化薄膜均采用的是單純的高方阻膜，或單純的安全膜。而單純的高方阻膜在厚鍍層這一區域的自愈不是很理想，容易發生次自愈，發熱比較嚴重。而單純的安全膜，其卷制的產品體積偏大，且電容器的儲能密度不夠。

發明內容

本發明正是針對現有技術存在的不足，提供一種高方阻安全金屬化薄膜。

為解決上述問題，本發明所采取的技術方案如下：

一種高方阻安全金屬化薄膜，所述金屬化薄膜包括：基膜、加厚區、漸變方阻區、留邊，在基膜一側鍍上一層厚的鋅鍍層，形成加厚區，在加厚區同側的基膜上預留不鍍金屬層，形成留邊，在加厚區到留邊之間的區域逐漸從厚到薄的鍍上一層金屬鋁，形成漸變方阻區。

作為上述技術方案的改進，從金屬化薄膜中間到加厚區之間區域，在漸變方阻區內部均勻分布金屬保險絲。

本發明與現有技術相比較，本發明的實施效果如下：

本發明所述高方阻安全金屬化薄膜，該高方阻安全膜與電容器的電流密度分布相適應，兼顧了電容器的電流與電壓的需求，提高電容器的自愈能力，增加電容的安全可靠性。

附圖說明

圖1為本發明所述高方阻安全金屬化薄膜結構示意圖；

圖2為圖1中A-A剖視圖。

具體實施方式

下面將結合具體的實施例來說明本發明的內容。

如圖1所示，為本發明所述高方阻安全金屬化薄膜結構示意圖，圖2為圖1中A-A剖視圖。本發明所述金屬化薄膜包括：基膜1、加厚區3、漸變方阻區2、留邊4、金屬保險絲5。在基膜1一側鍍上一層金屬鋅，使基膜1的邊緣形成一層比較厚的鋅鍍層，形成加厚區3。加厚區3大大降低了薄膜電容器的噴金層和芯子的接觸電阻，能承受比較大的電流。控制加厚區3蒸鍍金屬鋅的厚度，使其呈現出來的方塊電阻在（4.5±1）Ω/□內。

在加厚區3同側的基膜1上預留一定寬度不鍍金屬層，形成留邊4。在加厚區3到留邊4之間的區域逐漸從厚到薄的鍍上一層金屬鋁，形成漸變方阻區2。漸變方阻區2使其方塊電阻出現從小到大的變化。有規律地控制鋁金屬的鍍層厚度，使漸變方阻區2的方塊電阻的阻值呈現階梯遞增現象。

從金屬化薄膜中間到加厚區3之間區域，在漸變方阻區2內部還均勻分布金屬保險絲5，金屬保險絲5構成矩形方塊。由于加厚區3到薄膜中間這一部分區域的鍍層偏厚，發生薄膜自愈所需要的能量增加，發生次自愈的可能性增大，在這部分鍍層中分布金屬保險絲5，使電容器在剛開始發生自愈時，即能使保險絲熔斷，減少次自愈的發生，增加電容的安全可靠性。本發明的蒸鍍方式與電容器的電流密度分布相適應，提高電容器的耐壓強度。