[發明專利]一種低表面濃度的擴散方法有效
| 申請號： | 201310719796.1 | 申請日： | 2013-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN103715302B | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發明（設計）人： | 李旺;韓瑋智;牛新偉;王仕鵬;黃海燕;陸川 | 申請（專利權）人： | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 馮譜 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 濃度 擴散 方法 | ||
1.一種低表面濃度的擴散方法，其特征在于，包括如下步驟：
a）將硅片置于擴散爐中，并向擴散爐中通入含有磷源的小N2，N2和O2，在800℃～820℃的溫度下，對所述硅片進行磷擴散；
b）關閉小N2，保持800℃～820℃的溫度，向擴散爐中通入N2和O2對所述硅片進行通氧短時推阱；
c）向所述擴散爐中通入N2，在850℃～870℃的溫度下，對所述硅片進行高溫氮推阱；
d）向所述擴散爐中通入N2，在740℃～780℃的溫度下，對所述硅片進行低溫氮推阱；
e）在N2保護下，對所述硅片進行出爐操作。
2.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟a）中各氣體通量范圍如下：小N2：1.8slm～2.3slm；N2：15slm～21slm；O2：1.1slm～1.4slm。
3.根據權利要求1或2所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟a）的執行時間為15min～20min。
4.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟b）中各氣體通量范圍如下：N2：15slm～21slm；O2：1.8slm～2.4slm。
5.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟b）的執行時間為3min～8min。
6.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟c）中N2的通量范圍為15slm～21slm。
7.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟c）的執行時間為8min～10min。
8.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟d）中N2的通量范圍為15slm～21slm。
9.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟d）的執行時間為30min～35min。
10.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于，所述步驟e）具體為在通量范圍為15slm～21slm的N2保護下，保持溫度為740℃～780℃，將所述硅片取出。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
