[發(fā)明專利]一種高效擴(kuò)散的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310719747.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103715301A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李旺;韓瑋智;牛新偉;王仕鵬;黃海燕;陸川 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江正泰太陽(yáng)能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 馮譜 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高效 擴(kuò)散 方法 | ||
1.一種高效擴(kuò)散的方法,其特征在于,包括如下步驟:
a)將硅片置于擴(kuò)散爐中,通入含有磷源的氣體,對(duì)所述硅片進(jìn)行第一次擴(kuò)散;
b)對(duì)所述硅片的方阻進(jìn)行檢測(cè),當(dāng)所述硅片的方阻值比預(yù)定值低4Ω/□~8Ω/□時(shí),在690℃~720℃的溫度下,對(duì)所述硅片進(jìn)行第二次擴(kuò)散;
c)在氮?dú)獗Wo(hù)下,對(duì)所述硅片進(jìn)行出爐操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在執(zhí)行所述步驟b)時(shí),對(duì)所述擴(kuò)散爐中通入氧氣和氮?dú)饨M成的保護(hù)氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,在所述保護(hù)氣體中,氧氣的含量為0~30%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟b)的執(zhí)行時(shí)間為20min~40min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟a)進(jìn)一步為將硅片置于擴(kuò)散爐中,并向擴(kuò)散爐中通入含有磷源的小N2,N2和O2對(duì)所述硅片進(jìn)行第一次擴(kuò)散。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一次擴(kuò)散的溫度為860℃~890℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述第一次擴(kuò)散中,各氣體通量范圍如下:小N2:1.8~2.3slm;N2:15~21slm;O2:1.1~1.4slm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟a)的執(zhí)行時(shí)間為15min~20min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟c)具體為,在氮?dú)獗Wo(hù)下,保持溫度為690℃~720℃,將所述硅片從所述擴(kuò)散爐中取出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟c)中通入的氮?dú)獾耐糠秶鸀?5slm~21slm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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