[發(fā)明專利]一種擴散后低方阻硅片返工的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310719573.5
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103715300A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李旺;韓瑋智;牛新偉;王仕鵬;黃海燕;陸川
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 馮譜

1.一種擴散后低方阻硅片返工的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a）將待返工硅片置于擴散爐中；

b）向所述擴散爐中通入保護氣體；

c）在650℃～740℃的溫度下，對所述待返工硅片進行保溫；

d）對所述待返工硅片進行出爐操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待返工硅片為經(jīng)過一次擴散后方阻異常并低于合格硅片方阻的不合格硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述待返工硅片的方阻比合格硅片的方阻低5Ω/□～20Ω/□。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護氣體包括：氮氣和氧氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述保護氣體中的氧氣含量為0～30%。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護氣體的通量在5slm～15slm的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c）的執(zhí)行時間為20min～40min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d）之后還包括步驟：

e）對所述待返工硅片的方阻進行檢測，當所述待返工硅片的方阻低于合格硅片的方阻時，再次對其順序執(zhí)行步驟a）～步驟d）。