[發明專利]通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310719194.6
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103741104A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 楊亮;戈濤
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 李紀昌

1.通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：?

1）靶材選取：以鋯-銅合金靶和鎳靶作為濺射靶，將靶材置于磁控濺射腔室中，在鎳靶下方墊置鈦靶，其中鋯-銅合金靶中鋯和銅的原子比為Zr：Cu=65:35；

2）基體襯底處理：將鋯件表面精細拋光，置于超聲清洗器中依次用乙醇、除油液清洗，后用去離子水清洗并晾干，將處理后的鋯件置于腔室中，其中除油液為丙酮和乙醇的混合液，丙酮和乙醇的體積比為1：2；

3）抽真空：關閉腔室，抽真空至腔室真空度達到4×10^-4Pa；

4）制備鋯銅鎳三元非晶合金薄膜：往腔室中通入氬氣，調節氬氣流量，使腔室真空度為0.3-0.35Pa，開啟偏壓電源至-400V，偏壓清洗3-4分鐘，將偏壓電源調至90~110V，打開對應鋯-銅合金靶的直流電源，功率調節為85W，同時打開鎳靶的射頻電源，將反射功率調至1W，射頻功率為17-135W，沉積20-50分鐘，鋯-銅合金靶和鎳靶的傾斜角均為45度，靶基距為90mm，濺射結束關閉電源，鋯件表面形成厚度為457~1090nm的鋯銅鎳三元非晶合金薄膜。

2.如權利要求1所述的通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，步驟1）中鎳靶的純度為99.9%。

3.如權利要求1所述的通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，步驟4）中鎳靶的射頻功率調節至20W，沉積20分鐘，鋯件表面形成厚度為457nm的Zr₆₂Cu₃₀Ni₈三元非晶合金薄膜。

4.如權利要求1所述的通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，步驟4）中鎳靶的射頻功率調節至20W，沉積30分鐘，鋯件表面形成厚度為750nm的Zr₆₂Cu₃₀Ni₈三元非晶合金薄膜。

5.如權利要求1所述的通過磁控濺射在鋯表面鍍鋯銅鎳三元非晶合金薄膜的方法，其特征在于，步驟4）中鎳靶的射頻功率調節至20W，沉積40分鐘，鋯件表面形成厚度為930nm的Zr₆₂Cu₃₀Ni₈三元非晶合金薄膜。