[發明專利]等離子體刻蝕系統有效
| 申請號： | 201310719121.7 | 申請日： | 2013-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN104733279B | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發明（設計）人： | 楊平;黃智林 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 刻蝕 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體刻蝕系統，其特征在于，包括，射頻源、終點檢測系統以及反應腔，所述終點檢測系統包括光譜儀，所述光譜儀包括光柵，其中，所述射頻源和所述光譜儀分別與所述反應腔連接，所述射頻源和所述光譜儀并聯連接；所述射頻源由第一脈沖信號控制，所述光譜儀光柵的開關由第二脈沖信號控制，所述第一脈沖信號和所述第二脈沖信號同步。
2.根據權利要求1所述的刻蝕系統，其特征在于，所述射頻源為第一脈沖射頻源，所述第一脈沖信號和所述第二脈沖信號為由第二脈沖射頻源產生，所述第一脈沖射頻源和所述光譜儀并聯連接在第二脈沖射頻源和所述反應腔之間。
3.根據權利要求1所述的刻蝕系統，其特征在于，還包括，位于所述第二脈沖射頻源和所述光譜儀之間的脈沖計數器，所述脈沖計數器用于累計所述脈沖的數量，當所述脈沖的數量達到預定值后，控制所述光譜儀光柵的開關。
4.根據權利要求1-3任一項所述的刻蝕系統，其特征在于，所述終點檢測系統利用特定波長光的發射光譜進行檢測；所述特定波長光是等離子體刻蝕過程中的反應氣體或者反應副產物產生的特定波長的光。
5.根據權利要求1-3任一項所述的刻蝕系統，其特征在于，所述終點檢測系統利用特定波長光的吸收光譜進行檢測；所述特定波長光是等離子體刻蝕過程中的反應氣體或者反應副產物產生的特定波長的光。
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