[發(fā)明專利]基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310719075.0
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103700644A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛愷;于大全
• 申請（專利權(quán)）人: 華進半導體封裝先導技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.一種基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容，包括襯底（1）；所述襯底（1）具有第一主面以及與所述第一主面對應的第二主面；其特征是：所述襯底（1）的摻雜區(qū)域（2）內(nèi)設(shè)有電容槽（3），電容槽（3）穿過所述摻雜區(qū)域（2），且電容槽（3）的槽口從第一主面指向第二主面的方向延伸，所述摻雜區(qū)域（2）包裹在電容槽（3）上部側(cè)壁的周圍；電容槽（3）內(nèi)設(shè)有電容介質(zhì)體以及電容填充導體（14），所述電容填充導體（14）通過電容介質(zhì)體與電容槽（3）的內(nèi)壁相接觸；襯底（1）的第一主面上方設(shè)有第一電容連接電極（18）及第二電容連接電極（19），第一電容連接電極（18）與摻雜區(qū)域（2）歐姆接觸，第二電容連接電極（19）與電容填充導體（14）電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容，其特征是：所述電容介質(zhì)體包括第一介質(zhì)層（4）、第二介質(zhì)層（5）以及第三介質(zhì)層（11）；所述第一介質(zhì)層（4）覆蓋電容槽（3）的內(nèi)壁，第二介質(zhì)層（5）位于第一介質(zhì)層（4）與第三介質(zhì)層（11）之間，第三介質(zhì)層（11）包覆在電容填充導體（14）上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容，其特征是：所述襯底（1）的第一主面上通過第一介質(zhì)層（4）及第三介質(zhì)層（11）形成表面介質(zhì)層（20）；表面介質(zhì)層（20）上設(shè)有連接通孔（8），所述連接通孔（8）位于電容槽（3）的外側(cè)；連接通孔（8）內(nèi)填充有第一連接體（10），所述第一連接體（10）填充在連接通孔（8）內(nèi)并支撐在表面介質(zhì)層（20）上，第一電容連接電極（18）通過第一連接體（10）與摻雜區(qū)域（2）歐姆接觸；第二電容連接電極（9）通過電容填充導體（14）上的第二連接體（9）與電容填充導體（14）電連接；表面介質(zhì)層（20）上還覆蓋有絕緣隔離層（16），第一電容連接體（18）、第二電容連接體（19）從絕緣隔離層（16）內(nèi)穿出。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容，其特征是：所述襯底（1）內(nèi)設(shè)有連接槽（12），所述連接槽（12）的槽口從襯底（1）的第一主面指向第二主面的方向延伸，連接槽（12）內(nèi)設(shè)有第一介質(zhì)層（4）、第三介質(zhì)層（11）以及互連填充導體（13），第一介質(zhì)層（4）覆蓋連接槽（12）的內(nèi)壁，第三介質(zhì)層（11）覆蓋在第一介質(zhì)層（4）上，第三介質(zhì)層（11）與互連填充導體（13）接觸并包覆所述互連填充導體（13）；互連填充導體（13）與襯底（1）第一主面上方的互連連接電極（17）電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于TSV工藝的轉(zhuǎn)接板深槽電容，其特征是：所述第一介質(zhì)層（4）為氧化硅層，第二介質(zhì)層（5）為氮化硅層，第三介質(zhì)層（11）為氧化硅層。