[發明專利]有機電致發光器件、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310718937.8
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103715360A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 楊棟芳;皇甫魯江;金馝奭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種有機電致發光器件、顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管(OLED，Organic?Light?Emitting?Diode)是一種有機薄膜電致發光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構等優點。因此，利用有機發光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。

如圖1所示，有機發光二極管包括陰極層2、陽極層1（圖中標號1、2只是示意陽極層和陰極層的能級位置的高低）以及夾在陰極層2和陽極層1間的“有機功能層”。其中“有機功能層”其可為單層結構的發光層，也可由多個不同的層組成；“有機功能層”至少包括一個發光層(EML)5，但其還可包括：位于發光層5與陰極層2間的電子傳輸層(ETL)4和電子注入層(EIL)7；位于有機電致發光層5與陽極層1間的空穴注入層(HIL)6和空穴傳輸層(HTL)3等其他結構。一般電子傳輸層4的HOMO（Highest?Occupied?Molecular?Orbital，分子最高已占軌道）能級位置要低于發光層5的HOMO能級位置，用來阻擋空穴載流子向陰極層2的傳輸，所以電子傳輸層5的與發光層5之間的界面的空穴載流子濃度非常高，所以這個區域就非常容易引起載流子對激子的淬滅。在申請號為200910067007.4中公開一種有機發光二極管結構，在發光層摻雜了一種電子載流子傳輸材料，增強了載流子的注入能力，減少激子的聚集以及淬滅，從而提高了有機發光二極管的效率。

發明人發現現有技術中至少存在如下問題：由于發光層5與電極功函數的差異，載流子在能級勢壘的位置聚集，導致了激子的淬滅；所以有人通過使用高功函數的陽極層1/雙傳輸載流子發光層5/電子傳輸層4/陰極層2結構減小了這種載流子的聚集導致的激子的淬滅，但是由于發光層5的材料有雙傳輸性能，沒有復合的電子載流子向陽極層1移動，導致載流子在電極處的淬滅。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對現有的現有技術中存在的上述不足，提供一種可以提高有機發光器件的發光效率以及延長其使用壽命的有機電致發光器件。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機發光器件，其包括陽極層、陰極層，以及設置在陽極層與陰極層之間的有機功能層，所述有機功能層包括發光層，所述陽極層到有機功能層的注入勢壘和陰極層到有機功能層的注入勢壘均不超過1ev；所述發光層包括位于所述陽極層一側的空穴載流子傳輸區、位于所述陰極層一側的電子載流子傳輸區以及位于空穴載流子傳輸區和電子載流子傳輸區之間的發光區，其中，空穴載流子從空穴載流子傳輸區到發光區，以及電子載流子從電子載流子傳輸區到發光區均無勢壘。

本發明的有機電致發光器件，通過對有機功能層的合理設置，從而調節了載流子的傳輸分布，提高了有機電致發光器件的發光效率，及有利于提高有機電致發光器件的壽命。同時，通過傳輸層、發光層等有機層材料的選擇、阻擋層的設置，調節載流子在OLED器件中的分布，避免載流子在電極處的淬滅、載流子對激子的淬滅。

優選的是，所述發光層由空穴載流子傳輸能力的發光材料組成的無摻雜的熒光發光的有機材料制成，或所述發光層由熒光摻雜劑與基質材料組成的摻雜熒光材料的有機材料制成，或所述發光層由磷光摻雜劑與基質材料組成的摻雜磷光材料的有機材料制成。

優選的是，所述發光層由電子載流子傳輸能力的發光材料組成的無摻雜的熒光發光的有機材料制成，或所述發光層由熒光摻雜劑與基質材料組成的摻雜熒光材料的有機材料制成，或所述發光層由磷光摻雜劑與基質材料組成的摻雜磷光材料的有機材料制成。

優選的是，所述有機功能層還包括設置于發光層與陰極層之間的電子傳輸層，且電子傳輸層的LUMO能級位置比所述發光層LUMO能級位置高0～1ev，其中，發光層對空穴載流子傳輸能力不低于對電子載流子的傳輸能力。

進一步優選的是，所述電子傳輸層HOMO能級位置比發光層HOMO能級位置低0～1ev。

進一步優選的是，所述有機功能層還設包括電子阻擋層，所述電子阻擋層用于阻擋未復合的電子載流子遷移到陽極層。

更進一步優選的是，所述電子阻擋層的厚度在1nm至10nm之間。

優選的是，所述有機功能層還包括設置于陽極層與發光層之間的空穴傳輸層，且空穴傳輸層的HOMO能級位置比發光層的HOMO能級位置低0～1ev，其中，所述發光層的電子載流子的傳輸能力大于對空穴載流子的傳輸能力。

進一步優選的是，所述空穴傳輸層的LUMO能級位置比發光層的LUMO能級位置高0～1ev。