[發明專利]一種靜電夾盤

在審

• 申請號: 201310718868.0
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN104733364A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 王洪青;羅偉藝
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及半導體加工設備領域，特別涉及一種靜電夾盤。

背景技術

在集成電路制造工藝工程中，特別是等離子體刻蝕、物理氣相沉積、化學氣相沉積等工藝工程中，需要固定、支撐以及傳送被加工處理的器件。為了放置被加工處理的器件在加工過程中出現移動或錯位現象，通常采用靜電夾盤（Electro?Static?Chunk，ESC）來固定、支撐被加工處理的器件。

靜電夾盤利用靜電引力來固定晶片等被加工處理器件。由于靜電夾盤采用靜電引力的方式而非傳統的機械方式來固定被加工處理器件，因此，可以減少傳統機械方式中因壓力、碰撞等機械原因而對被加工器件所造成的不可修復的損傷，而且能夠減少因機械碰撞而產生的顆粒污染。

在將靜電夾盤用于等離子體加工工藝時，射頻電源產生的射頻功率經位于靜電夾盤下方的陰極基座饋入等離子體處理裝置的反應腔。然而，在陰極基座的設計中，不可避免地會引入一些非對稱的結構，如一些控溫的水道，這些非對稱結構導致入射到反應腔內不同區域的射頻功率的分布不均勻，導致被處理器件表面上方的電磁場分布不均勻，由于電磁場的不均勻分布，導致反應腔內的等離子體分布不均勻，從而導致反應腔內不同區域的工藝參數具有不同的值，進而導致被處理的晶片等被加工處理的器件的不均勻處理，從而降低了產品的生產良率。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種靜電夾盤，以改善反應腔內的晶片等被加工處理的器件處理的均勻性，從而提高產品的生產良率。

為了達到上述發明目的，本發明采用了如下技術方案：

一種靜電夾盤，包括，設置于所述靜電夾盤內部的N塊相互獨立的導體塊，每個導體塊連接一個位于所述靜電夾盤外部的阻容網絡，所述阻容網絡具有至少一個可變電容，所述阻容網絡的一端接地，其中，N≥2，N為整數，所述靜電夾盤由絕緣材料制成。

較優地，所述導體塊均勻分布在所述靜電夾盤內。

較優地，所述N塊導體塊的材質和尺寸相同。

較優地，所述導體塊的材質為金屬材料。

較優地，所述金屬材料為鋁、銅中的至少一種。

較優地，所述阻容網絡為高阻濾波器。

較優地，所述N個阻容網絡的結構相同。

較優地，所述絕緣材料包括碳化硅、氮化鋁、三氧化二鋁中的至少一種。

相較于現有技術，本發明具有以下有益效果：

本發明實施例提供的靜電夾盤，用于在半導體加工過程中借助于靜電引力固定如晶圓等被加工器件。由于在靜電夾盤的內部設置有多個導體塊，且一個導體塊與一個阻容網絡連接。當反應腔內某一區域的電磁場強度較大時，通過調節與該區域相對應的阻容網絡上的可變電容，由于阻容網絡接地，所以通過阻容網絡可以將一部分射頻能量釋放掉，從而使該區域的電磁場強度與其它區域的電磁場強度達到基本相同的目的，從而實現反應腔內被加工處理器件表面的電磁場的均勻分布，因而能夠實現對被加工處理器件的均勻處理，有利于提高產品的生產良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例的靜電夾盤的截面結構示意圖；

圖2是本發明實施例的靜電夾盤的剖面結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

靜電夾盤用于在半導體加工過程中借助于靜電引力固定被加工器件。在靜電夾盤的內部設置有一電極，該電極用于與靜電夾盤外部的直流電源連接。通過直流電源給電極施加電壓，實現從靜電夾盤上夾持或釋放被加工器件。