[發(fā)明專利]一種直流防護電路及網(wǎng)絡設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310718810.6
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103715649B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發(fā)明（設計）人: 楊文科
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)44285
• 代理人: 王仲凱

1.一種直流防護電路，其特征在于，包括：

控制開關(guān)模塊、比較模塊以及所述直流防護電路后級電源的輸入電容；

其中，與所述控制開關(guān)模塊連接的所述比較模塊，用于當所述輸入電容兩端的電壓大于參考電壓時，控制所述控制開關(guān)模塊關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓；當所述輸入電容兩端的電壓不大于所述參考電壓，控制所述控制開關(guān)模塊導通；

所述控制開關(guān)模塊，用于根據(jù)其導通或關(guān)斷控制所述直流防護電路的導通或關(guān)斷；

所述控制開關(guān)模塊包括：第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)；

所述比較模塊包括：與所述第一控制開關(guān)連接的第一比較器，以及與所述第二控制開關(guān)連接的第二比較器；

所述直流防護電路還包括負載電阻和連接在所述負載電阻兩端的運放放大器，從反向輸入端口起，所述第一控制開關(guān)、所述第二控制開關(guān)與所述負載電阻依次串聯(lián)；

所述第一比較器的一輸入端與所述運放放大器輸出端連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第一控制開關(guān)連接；

所述第二比較器的一輸入端與所述直流防護電路的正向輸入端口連接，另一輸入端為所述參考電壓輸入端，其輸出端與所述第二控制開關(guān)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流防護電路，其特征在于：

所述運放放大器，用于對所述負載電阻兩端的電壓進行放大，輸出第一電壓；

所述第一比較器，具體用于當電流反向流通時，檢測所述第一電壓的大小，若所述第一電壓大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)處于放大狀態(tài)直至關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述第一電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第一控制開關(guān)飽和導通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流防護電路，其特征在于：

所述第二比較器，具體用于當電流正向流通時，檢測所述直流防護電路輸入電壓的大小，若所述輸入電壓大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)處于放大狀態(tài)關(guān)斷，以使所述輸入電容的電壓不超過所述參考電壓，若所述輸入電壓不大于所述參考電壓，則控制所述第二控制開關(guān)飽和導通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的直流防護電路，其特征在于，所述直流防護電路還包括：

跨接于所述直流防護電路正向輸入端口和反向輸入端口之間的壓敏電阻，用于當所述輸入電壓超過所述參考電壓時進行分流。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的直流防護電路，其特征在于：

所述第一控制開關(guān)和所述第二控制開關(guān)均為金屬氧化物半導體場效晶體管MOSFET。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的直流防護電路，其特征在于：

所述輸入電容為電解電容。

7.一種網(wǎng)絡設備，其特征在于，包括：

直流防護電路，其中，所述直流防護電路為如權(quán)利要求1至6任一項所述的直流防護電路，所述直流防護電路設置于所述網(wǎng)絡設備的直流電源輸入端口。