[發明專利]薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310718480.0
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103715265A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管，包括：

形成在襯底上方的柵極，所述柵極連接在柵線上；

形成在所述柵極和柵線上方的半導體層；

其特征在于，

所述半導體層至少部分超出所述柵極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在垂直于所述柵線的方向上超出所述柵極。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在遠離柵線的一側超出所述柵極，且半導體層在遠離所述柵線一側的中間部分向靠近柵線的方向凹進，且與所述柵極邊緣齊平。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在靠近柵線的一側超出所述柵極，且半導體層在靠近所述柵線一側的中間部分向遠離柵線的方向凹進以露出部分所述柵極。

5.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在遠離柵線的一側超出所述柵極，且半導體層在遠離所述柵線一側的中間部分向靠近柵線的方向凹進以露出部分所述柵極。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在靠近柵線的一側超出所述柵極，且半導體層在靠近所述柵線一側的中間部分向遠離柵線的方向凹進以露出部分所述柵極。

7.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在靠近柵線的一側超出所述柵極，且半導體層在靠近所述柵線一側的中間部分向遠離柵線的方向凹進以露出部分所述柵極。

8.根據權利要求1至7任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層在平行于柵線的方向超出所述柵極。

9.根據權利要求1至7任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括覆蓋所述半導體層的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括位于半導體層上方的漏電極的接觸過孔和源電極的接觸過孔，所述源電極的接觸過孔和漏電極的接觸過孔與半導體層接觸形成接觸部，每個所述接觸部的邊緣到半導體層的邊緣至少有4微米的距離。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括覆蓋所述半導體層的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括位于半導體層上方的漏電極的接觸過孔和源電極的接觸過孔，所述源電極的接觸過孔和漏電極的接觸過孔與半導體層接觸形成接觸部，每個所述接觸部的邊緣到半導體層的邊緣至少有4微米的距離。

11.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層的材料為金屬氧化物半導體或石墨烯半導體。

12.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層的厚度范圍為

13.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權利要求1至12中任意一項所述的薄膜晶體管。

14.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求13所述的陣列基板。