[發(fā)明專利]高壓阱隔離方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310717897.5
• 申請(qǐng)日: 2013-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104733370A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙鵬;張可鋼;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種高壓阱隔離方法，對(duì)P型襯底中的P阱進(jìn)行N型深阱隔離，其特征在于：在隔離溝槽區(qū)域中增加有源區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓阱隔離方法，其特征在于：所述的有源區(qū)增加在N型深阱中P阱之間的隔離溝槽中。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓阱隔離方法，其特征在于：進(jìn)行N型雜質(zhì)注入形成N型深阱時(shí)，溝槽中增加的有源區(qū)與溝道區(qū)離子注入同步進(jìn)行。