[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310717853.2
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103715202A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 崔賢植;金熙哲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

高級超維場開關技術（Advanced-Super?Dimensional?Switching，簡稱：ADS）通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD畫面品質，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋（push?Mura）波紋等優點。

ADS模式顯示裝置由彩膜基板和ADS陣列基板對盒而成，如圖1所示，ADS陣列基板包括：基板，設置在基板上的薄膜晶體管、像素電極11和公共電極12，像素電極11在上為狹縫電極，公共電極12在下為板式電極。制備時，源漏金屬層形成薄膜晶體管的源/漏極172以及數據線171；柵金屬層形成柵線13（柵線13的一部分充當薄膜晶體管的柵極）和公共電極線14，同時還需形成柵連接區141（Gate?pad），然后利用第二透明導電層（2nd?ITO，用以形成像素電極11）形成連接線15。連接線15在柵連接區141（Gate?pad）通過過孔16將公共電極線14和公共電極12電連接。公共電極線14與柵線13設置在不同層，會增加工序，但是設置在同一層，公共電極線14以及柵連接區141（Gate?pad）的存在會導致開口率減少；另外，公共電極線14與公共電極12連接時存在過孔，會使得柵線的連接電阻會增加。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可提高開口率，并改善柵線因連接電阻增加導致的柵信號延遲。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，本發明的實施例提供一種陣列基板，包括：基板，設置在基板上的公共電極，還包括：

柵線；與所述柵線同層，且平行于所述柵線設置的公共電極線；

所述柵線包括：多個間斷分布的獨立部分，所述獨立部分通過搭橋相互連接；所述公共電極線經所述柵線的間斷處直接與所述公共電極電連接。

優選地，所述公共電極線上折，且，所述公共電極線的上折部分位于所述柵線的間斷處。

優選地，所述陣列基板還包括：薄膜晶體管；所述搭橋與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設置。

可選地，所述搭橋與所述像素電極同層設置，或者，所述搭橋與所述公共電極同層設置。

進一步地，所述陣列基板還包括：隔著絕緣層重疊在所述獨立部分上方的并聯線，且，

所述并聯線的兩端分別與所述獨立部分電連接。

可選地，所述陣列基板還包括：薄膜晶體；所述并聯線與所述薄膜晶體管的源/漏極同層設置。

本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括所述的任一陣列基板。

另一方面，本發明的實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括：

S1、柵金屬層制程，形成柵極、柵線和公共電極線；

S2、薄膜晶體管制程，形成薄膜晶體管的柵絕緣層、半導體層、源極和漏極，以及數據線；

S3、形成公共電極的制程，所述公共電極與所述公共電極線電連接；

S4、形成鈍化保護層的制程；

S5、形成像素電極的制程；

步驟S1中形成的所述柵線包括多個間斷分布的獨立部分，步驟S1中形成的所述公共電極線經所述柵線的間斷處延伸至所述公共電極的預設位置；

步驟S2中或者步驟S5中還形成搭橋，步驟S1中形成的獨立部分通過搭橋相互連接；當采用在步驟S2中形成搭橋時，步驟S2中通過構圖工藝在源漏金屬層上，形成薄膜晶體管的源極、漏極和數據線時，還同步在所述獨立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個所述獨立部分電連接；當采用在步驟S5中形成搭橋時，步驟S5具體為：

形成透明導電膜，并通過構圖工藝形成像素電極，同時在所述獨立部分的上方形成搭橋，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個所述獨立部分電連接。

具體地，所述搭橋的兩端分別與相鄰的兩個所述獨立部分電連接，具體為：

所述搭橋的兩端分別通過過孔與相鄰的兩個所述獨立部分電連接。