[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201310717574.6
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103715264A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種氧化物薄膜晶體管，其包括：基底，依次形成在基底上的柵極、柵極絕緣層、氧化物半導體有源層，以及源、漏極，其特征在于，還包括設于氧化物半導體有源層與源、漏極之間的過渡層，所述過渡層包括金屬層和保護層，其中，

所述保護層與所述氧化物半導體有源層接觸，所述金屬層與所述源、漏極接觸，且所述保護層材料為金屬氧化物。

2.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述保護層的材料是銅、鈦、鉬中任意一種金屬材料，或銅、鈦、鉬中的任意多種金屬的合金材料的氧化物。

3.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述保護層的厚度在之間。

4.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述保護層是通過將金屬材料層氧化處理轉變形成的。

5.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬層的材料為銅、鈦、鉬中的任意一種金屬，或銅、鈦、鉬中的任意多種金屬的合金。

6.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬層的厚度在之間。

7.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物半導體有源層的材料為氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化銦鎵錫中的任意一種。

8.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述源極、漏極的材料為銅、鋁、鉬、鈦中的任意一種。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，形成的所述保護層中的金屬材料與金屬層的材料相同。

10.一種如權利要求1～9中任意一項所述的氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在形成有氧化物半導體有源層的基底上，通過構圖工藝形成包括保護層的圖形；

在完成上述步驟的基底上，通過構圖工藝形成包括金屬層的圖形。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述形成保護層具體包括：

在形成有氧化物半導體有源層的基底上，形成金屬材料層，同時通入氧氣，形成金屬氧化物層，即保護層。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述保護層具體是通過氧等離子體氧化處理形成。

13.一種陣列基板，包括如權利要求1至9中任意一項所述的氧化物薄膜晶體管。

14.一種顯示裝置，包括如權利要求13所述的陣列基板。