[發(fā)明專利]一種耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310717388.2 | 申請日: | 2013-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN103832033A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何志斌;袁舜齊;湯昌丹 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳瑞華泰薄膜科技有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/08 | 分類號: | B32B27/08;B32B27/30;B32B27/04;B32B37/15;B32B37/06;B32B37/10 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 黃韌敏;郭曉敏 |
| 地址: | 518105 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電暈 聚酰亞胺 聚全氟乙 丙烯 復(fù)合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜,包括:?
薄膜層A,為耐電暈聚酰亞胺薄膜,是所述復(fù)合薄膜的主體結(jié)構(gòu);所述薄膜層A的厚度不低于復(fù)合薄膜總厚度的1/3;?
薄膜層B,含有聚全氟乙丙烯樹脂及填充于其間的納米無機填料,所述薄膜層B覆蓋于所述薄膜層A的至少一面,由此所述復(fù)合薄膜具有A-B兩層結(jié)構(gòu)或B-A-B三層結(jié)構(gòu);所述單個薄膜層B的厚度不超過復(fù)合薄膜總厚度的1/2。?
2.如權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜,其特征在于所述薄膜層A的厚度≥25μm,所述薄膜層B的厚度為2.5~25μm。?
3.如權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜,其特征在于所述納米無機填料選自無機氧化物中的一種或多種的組合,所述納米無機填料的含量為聚全氟乙丙烯重量的1~10%。?
4.如權(quán)利要求3所述的耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜,其特征在于所述納米無機填料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅中的一種或兩種的組合,其粒徑分布范圍為10~1000nm。?
5.一種權(quán)利要求1至4任一項所述的耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜的制備方法,包括以下步驟:?
1)制備含有納米無機填料的漿料;?
2)將步驟1)制備的漿料,加入聚全氟乙丙烯樹脂乳液中,均勻分散,得到改性聚全氟乙丙烯樹脂分散液;?
3)將步驟2)所得的聚全氟乙丙烯樹脂分散液涂覆在耐電暈聚酰亞胺薄膜的單面或雙面,經(jīng)干燥,高溫燒結(jié),得到耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙烯復(fù)合薄膜;?
其中步驟1)中,漿料的組成為:納米無機填料10~40%重量,分散劑0.01~2%重量,其余為非質(zhì)子高沸點極性溶劑。?
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其中步驟1)所述漿料中的分散劑選自硅烷類偶聯(lián)劑、鈦酸酯類偶聯(lián)劑、鋯酸酯類偶聯(lián)劑和鋁酸酯類偶聯(lián)劑。?
7.如權(quán)利要求5所述的方法,其中步驟1)所述漿料中的非質(zhì)子高沸點極性溶劑選自N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺和N-甲基吡咯烷酮。?
8.如權(quán)利要求5所述的方法,其中步驟2)所述漿料加入后,其中含有的納米無機填料的量為聚全氟乙丙烯乳液中聚全氟乙丙烯樹脂重量的1%~10%。?
9.一種制備權(quán)利要求1至4任一項所述耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜的方法,包括以下步驟:?
1)將納米無機填料與聚全氟乙丙烯樹脂的粒料均勻混合,經(jīng)混煉,擠出造粒,得到耐電暈聚全氟乙丙烯粒料;?
2)將耐電暈聚全氟乙丙烯粒料經(jīng)薄膜擠出成型,得到耐電暈聚全氟乙丙烯薄膜;?
3)將耐電暈聚全氟乙丙烯薄膜與耐電暈聚酰亞胺薄膜的單面或雙面經(jīng)熱復(fù)合機在壓力作用下復(fù)合,得到耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜;?
其中,所述納米無機填料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅中的一種或兩種;納米無機填料的平均粒徑分布范圍為10~1000nm;納米無機填料的含量為聚全氟乙丙烯干料重量的1~10%。?
10.一種權(quán)利要求1至4任一項所述耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜的制備方法,包括以下步驟:?
1)將納米無機填料與聚全氟乙丙烯樹脂的粒料均勻混合,經(jīng)混煉,冷卻造粒,得到耐電暈聚全氟乙丙烯粒料;?
2)將耐電暈聚全氟乙丙烯粒料經(jīng)薄膜擠出成型,使用平縫T型模頭,擠出得到耐電暈聚全氟乙丙烯熔融膜,直接涂覆在經(jīng)過表面處理的耐電暈聚酰亞胺薄膜的單面或雙面,經(jīng)冷卻,牽引并切帶,得到耐電暈聚酰亞胺-聚全氟乙丙烯復(fù)合薄膜;?
其中所述納米無機填料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅中的一種或兩種;納米無機填料的平均粒徑分布范圍為10~1000nm;納米無機填料的含量為聚全氟乙丙烯干料重量的1~10%。?
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