[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201310717331.2
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103700625A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 閆梁臣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術領域

本發明涉及液晶領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

陣列基板是薄膜晶體管液晶顯示器（TFT?LCD）的主要組成之一，在制造陣列基板的過程中，通過減少所使用的光刻掩膜版（Mask）的數量，可顯著減少陣列基板的制造成本，進而能減少TFT?LCD的制造成本。

圖1示出了具有底柵型薄膜晶體管（TFT）的陣列基板的典型結構，其在襯底1上從下至上依次形成有：柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、源極7、漏極8、鈍化層9及像素電極薄膜11。另外，在鈍化層9中還形成有用于電連接像素電極薄膜11及漏極8的像素電極過孔10。其中，由于柵極2表面與襯底1表面之間存在高度差，因此，柵極2以上的各層在對應于柵極2邊緣的區域都具有階差，從而形成了臺階狀的源極7及臺階狀的漏極8。

現有的制造圖1所示的陣列基板的方法已從最初的7Mask技術發展為目前的4Mask技術，4個Mask分別用于形成：圖案化的柵極、圖案化的有源層及源/漏極、像素電極過孔、圖案化的像素電極。

其中制作源極、漏極和有源層的步驟，是在形成用于制作所述有源層的半導體薄膜和用于制作源極和漏極的金屬薄膜后進行刻蝕，首先刻蝕掉預定形成薄膜晶體管的第一區域之外的金屬薄膜5，如圖2a所示；然后對預定形成所述薄膜晶體管的第一區域之外的有源層4進行刻蝕，如圖2b所示；最后刻蝕掉溝道區域的金屬薄膜5，如圖2c所示，形成源極和漏極。

可以發現，上述的制作源極、漏極和有源層的過程中，需要進行多次刻蝕操作，導致制作時間長，制作能力有限。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，簡化陣列基板制作過程中制作源極、漏極和有源層的工藝流程，進而提高生產能力。

為了實現上述目的，本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板上包括多個薄膜晶體管，其中，所述陣列基板的制作方法包括形成所述薄膜晶體管的源極、漏極和有源層的步驟，所述形成所述薄膜晶體管的源極、漏極和有源層的步驟具體包括：

依次形成用于制作所述有源層的半導體薄膜和用于制作源極和漏極的金屬薄膜，形成所述金屬薄膜的金屬材料能夠使用第一刻蝕方法或第二刻蝕方法進行刻蝕，形成所述半導體薄膜的半導體材料僅能使用第一刻蝕方法和第二刻蝕方法中的第一刻蝕方法進行刻蝕；

采用第一刻蝕方法同時刻蝕掉預定形成所述薄膜晶體管的第一區域之外的所述半導體薄膜和金屬薄膜；

采用第二刻蝕方法對保留的所述金屬薄膜進行刻蝕處理，形成所述源極和漏極。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述第一刻蝕方法和第二刻蝕方法分別為濕法刻蝕和干法刻蝕。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述半導體材料為ZnON。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述有源層的形成工藝為化學氣相沉積工藝。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述源極和漏極的形成工藝為濺射工藝。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述有源層包括本征半導體層和摻雜半導體層時，所述采用第二刻蝕方法對保留的所述金屬薄膜進行刻蝕處理，形成所述源極和漏極后，所述方法還包括：

采用所述第二刻蝕方法刻蝕掉溝道區域內的摻雜半導體層。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述陣列基板為背溝道刻蝕型結構的陣列基板。

上述的陣列基板的制作方法，其中，所述陣列基板使用4Mask陣列制造工藝制作。

本發明實施例還提供了一種使用上述任意一項制作的陣列基板。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述所述的陣列基板。

本發明實施例在形成用于制作所述有源層時，采用的半導體薄膜僅能夠使用第一刻蝕方法和第二刻蝕方法中的第一刻蝕方法進行刻蝕，而在形成用于制作源極和漏極時，采用的金屬薄膜可以使用第一刻蝕方法和第二刻蝕方法中的任意一種進行刻蝕，在具體刻蝕時，對形成所述薄膜晶體管的第一區域之外的源極、漏極和有源層不需要分別刻蝕，可以采用第一刻蝕方法同時刻蝕掉預定形成所述薄膜晶體管的第一區域之外的所述金屬薄膜和半導體薄膜；再采用第二刻蝕方法對保留的所述金屬薄膜進行刻蝕處理，形成所述源極和漏極。上述過程簡化了陣列基板制作過程中制作源極、漏極和有源層的工藝流程，進而提高TFT的生產能力。

附圖說明

圖1為現有技術中具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板的剖面示意圖；