[發明專利]暫時性粘合有效
| 申請號: | 201310717281.8 | 申請日: | 2013-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103779255A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | M·S·奧利弗;M·K·加拉赫;K·R·布朗特爾 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳哲鋒 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 暫時性 粘合 | ||
1.一種可剝離地使半導體晶片附著到載體基材的方法,所述方法包括:
(a)提供具有正面和背面的半導體晶片;
(b)提供具有附著表面的載體基材;
(c)在半導體晶片正面和載體基材的附著表面之間分布包含可固化粘合劑材料和剝離添加劑的短暫性粘合組合物;以及
(d)使粘合劑材料固化,從而提供分布在半導體晶片正面和載體基材的附著表面之間的短暫性粘合層;其中與載體基材的附著表面鄰近的短暫性粘合層包含較低含量的剝離添加劑,以及與半導體晶片正面鄰近的短暫性粘合層包含較高含量的剝離添加劑。
2.權利要求1的方法,其中可固化粘合劑材料選自聚芳撐低聚物,環狀烯烴低聚物,芳基環丁烯低聚物,乙烯基芳香族低聚物及其混合物。
3.權利要求1的方法,其中剝離添加劑是聚醚化合物。
4.權利要求1的方法,其中剝離添加劑選自聚亞烷基氧化物均聚物和聚亞烷基氧化物共聚物。
5.權利要求4的方法,其中聚醚化合物包含端基,所述端基選自羥基,烷氧基,芳氧基及其混合物。
6.權利要求4的方法,其中聚醚化合物選自聚乙二醇,聚丙二醇,聚(1,3-丙二醇),聚丁二醇,聚(四氫呋喃),乙二醇-丙二醇共聚物及其混合物。
7.權利要求1的方法,其中短暫性粘合組合物通過使用熱,光,輻射或其組合進行固化。
8.權利要求1的方法,進一步包含在接觸短暫性粘合組合物之前,使用粘合促進劑處理載體基材附著表面的步驟。
9.權利要求1的方法,進一步包含下列步驟:(e)在半導體晶片的背面進行操作;以及(f)使半導體晶片的正面與短暫性粘合層分離。
10.權利要求1的方法,其中短暫性粘合組合物進一步包含有機溶劑。
11.一種結構,所述結構包含:具有正面和背面的半導體晶片;具有附著表面的載體基材;以及分布在半導體晶片正面和載體基材的附著表面之間的短暫性粘合層;其中短暫性粘合層包含固化的粘合劑材料和剝離添加劑;其中與載體基材的附著表面鄰近的短暫性粘合層包含較低含量的剝離添加劑,并且與半導體晶片正面鄰近的短暫性粘合層包含較高含量的剝離添加劑。
12.權利要求11的結構,進一步包含分布在短暫性粘合層和載體基材附著表面之間的粘合促進劑。
13.權利要求11的結構,其中短暫性粘合層和半導體晶片正面之間具有<3J/m2的粘附能。
14.權利要求11的結構,其中短暫性粘合層和載體基材附著表面之間具有>30J/m2的粘附能。
15.權利要求11的結構,其中可固化粘合劑材料選自聚芳撐聚合物,環狀烯烴聚合物,芳基環丁烯聚合物,乙烯基芳香族低聚物及其混合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





