[發(fā)明專利]嵌入式芯片封裝及用于制造嵌入式芯片封裝的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310716999.5 | 申請日： | 2013-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN103779312B | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | G·比爾;W·哈特納 | 申請（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,胡莉莉 |
| 地址： | 德國瑙伊比*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 嵌入式 芯片 封裝 用于 制造 方法 | ||
1.一種用于制造嵌入式芯片封裝的方法，所述方法包括：
在襯底上方形成導電線的第一層以形成預成形通孔裝置; 其中所述導電線的第一層基本上具有相同的長度；
將所述預成形通孔裝置放置得緊鄰包括芯片的芯片裝置的第一側(cè)面，所述芯片包括設置在至少一個焊接結(jié)構(gòu)上方的芯片底側(cè)面和包括一個或多個接觸焊盤的芯片頂側(cè)面，其中所述第一層的所述導電線中的一個或多個可以被布置為接近于所述芯片的第一側(cè)壁并且其中轉(zhuǎn)動所述預成形通孔裝置，以便所述導電線面對所述芯片的第一側(cè)壁；
在所述芯片裝置的第二側(cè)面處形成導電線的第二層，其中所述導電線的第一層包括第一寬度；其中所述導電線的第二層包括第二寬度，并且其中所述第一寬度不同于所述第二寬度；以及
在將所述預成形通孔裝置放置得緊鄰所述芯片裝置之后，在所述芯片裝置上方形成基本上垂直于所述導電線并且基本上平行于所述芯片的頂側(cè)面的一個或多個電互連，從而將至少一個導電線電連接至至少一個接觸焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：
在所述預成形通孔裝置上方并且至少部分圍繞所述導電線的所述第一層和/或所述第二層的每一個形成電絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中使用平面沉積將所述導電線的所述第一層形成在所述襯底上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中所述導電線的所述第一層和/或所述第二層是基本彼此平行和相對彼此成一角度布置中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中每個所述導電線包括金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中所述襯底包括來自以下材料組中的至少一種材料，所述材料組包含：模制復合物、層壓材料、陶瓷、半導體、液晶聚合物和隔離的金屬襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，
其中所述電絕緣材料包括來自以下材料組中的至少一種材料，所述材料組包含：模制復合物、層壓材料、熱固性塑料、熱塑性塑料和陶瓷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中所述芯片包括一個或多個芯片側(cè)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，
其中所述導電線的所述第一層基本上平行于所述芯片側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，
其中導電線的所述第一層被布置為與芯片側(cè)壁基本等距。
11.一種用于制造嵌入式芯片封裝的方法，所述方法包括：
在第一襯底側(cè)面上方形成導電線的第一層以形成預成形通孔裝置，每個導電線具有基本上相同的長度，其中每個導電線被至少部分圍繞所述導電線的電絕緣材料覆蓋；
將所述預成形通孔裝置的表面放置得緊鄰包括芯片的芯片裝置的第一側(cè)面，所述芯片包括設置在至少一個焊接結(jié)構(gòu)上方的芯片底側(cè)面和包括一個或多個接觸焊盤的芯片頂側(cè)面，其中所述導電線的第一面被布置為接近于所述芯片的第一側(cè)壁并且其中轉(zhuǎn)動所述預成形通孔裝置，以便所述導電線面對所述芯片的第一側(cè)壁；
在所述芯片裝置的第二側(cè)面處形成導電線的第二層，其中所述第一層的每個導電線與相鄰的導電線分離開第一間距，其中所述第二層的每個導電線與相鄰的導電線分離開第二間距，并且其中所述第一間距不同于所述第二間距；并且
在將所述預成形通孔裝置放置得緊鄰所述芯片裝置之后，在所述芯片裝置上方形成基本上垂直于所述導電線的接續(xù)的層并且平行于所述芯片的頂側(cè)面的至少一個電互連，從而將至少一個導電線電連接至至少一個接觸焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，
進一步包括在所述襯底上方并且至少部分圍繞所述導電線的第一層形成第一電絕緣材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，
進一步包括在所述導電線的第二層上方形成第二電絕緣材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，
其中將所述預成形通孔裝置放置得緊鄰所述芯片裝置包括：
將所述第二電絕緣材料鄰接至所述芯片裝置。
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