[發明專利]發光器件

無效

• 申請號: 201310716962.2
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103700744A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 楊力勛;蔡培崧;徐宸科;林素慧;趙志偉;黃少華
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體發光器件，屬于半導體器件制造技術領域。?

背景技術

發光二極管（LED）的核心基本結構包括p型半導體層（p區）、有源層（發光層或發光部）和n型半導體層（n區）。當LED受到正向偏壓的作用時，p區中的空穴向n區移動，n區中的電子向p區移動，電子和空穴在有源層復合。從理論上講，電子和空穴復合釋放出的能量絕大部分以光（輻射躍遷）的形式釋放出來。由于LED具有低能耗、環保、小型化、壽命長等優點，其具有廣闊的市場發展前景。?

發明內容

本發明公開了一種發光器件結構，在這種結構中至少包括一個電極結構和與該電極結構配合使用的電流阻擋層。所述發光器件，具體包括：發光外延疊層，至少包括：第一導電類型的第一半導體層、第二導電類型的第二半導體層及夾在兩者之間的有源層；第一電極，位于第一半導體層表面上方，包括焊盤和擴展電極，所述擴展電極由所述焊盤向外延伸而成；電流阻擋層，位于所述擴展電極的下方，其邊緣與所述擴展電極的邊緣非平行排列，電流傾向于繞過而非穿過電流阻擋層從電極向器件擴散。?

在一些實施例中，所述發光器件至少包括層疊的半導體結構以及電極結構和電流阻擋層。電極結構至少包括一個焊盤和一個擴展電極，其中焊盤可以用來與外電路做電連接，擴展電極用來促進電流在器件上的擴散。同時，在整個擴展電極上，與焊盤相連的部分在與擴展電極延伸方向正交方向上擁有最大的寬度，且擴展電極在與其延伸方向正交的方向上的寬度從鄰近焊盤的位置向擴展電極的末端減小，使得在整個擴展電極的與延伸方向正交的橫截面上的電流密度近似相等。同時，至少在擴展電極的下方存在電流阻擋層，電流傾向于繞過而非穿過電流阻擋層從電極向器件擴散。電流阻擋層的延伸方向與擴展電極一致，并且電流阻擋層在與其延伸方向正交方向上的寬度從鄰近焊盤的位置向擴展電極的末端減小。?

在一些實施例中，所述發光器件至少包括第一導電類型的第一半導體層、第二導電類型的第二半導體層以及位于兩類半導體層之間的發光層。至少在第一半導體層上方有一電極，該電極與第一半導體層直接接觸。?

在一些實施例中，所述發光器件至少包括第一導電類型的第一半導體層、第二導電類型的第二半導體層以及位于兩類半導體層之間的發光層。至少在第一半導體層上方有一電極，該電極與第一半導體層之間至少還存在一種透明導電材料。?

在一些實施例中，所述電流阻擋層在與其延伸方向正交的方向上的寬度，大于相應位置的擴展電極的寬度，并且兩者的寬度差距從鄰近焊盤的位置向擴展電極的末端減小。?

在一些實施例中，所述電流阻擋層在與其延伸方向正交的方向上的寬度，小于相應位置上擴展電極的寬度，并且兩者的寬度差距從鄰近焊盤的位置向擴展電極的末端增大。?

在一些實施例中，所述擴展電極包括若干分支，其不與焊盤直接相連接。所述分支在與其延伸方向正交的方向上的寬度從起始端向末端減小。并且，至少在主擴展電極的下方存在電流阻擋層，電流傾向于繞過而非穿過電流阻擋層從電極向器件擴散，電流阻擋層的延伸方向與電極主擴展電極一致，并且電流阻擋層在與其延伸方向正交方向上的寬度從鄰近焊盤的位置向擴展電極的末端減小。?

更優的，在擴展電極分支的下方也存在電流阻擋層，且電流阻擋層在與其延伸方向正交的方向上的寬度從所述分支起始端的位置向所述分支的末端減小，所述電流阻擋層在與其延伸方向的正交方向上的寬度可以大于或小于相應位置上的所述擴展電極分支的寬度。?

附圖說明

圖1是一種公知的發光器件結構圖。?

圖2是圖1沿AA’線的剖面圖。?

圖3是另一種公知的發光器件結構圖。?

圖4是圖3沿BB’的剖面圖。?

圖5是依據本發明的一實施例的發光器件的結構圖。?

圖6是圖5沿CC’線的剖面圖。?

圖7是圖5沿DD’線的剖面圖。?

圖8是依據本發明的另一實施例的發光器件的結構圖。?

圖9是依據本發明的再一實施例的發光器件結構圖。?

圖10是圖9沿EE’線的剖面圖。?

圖11是依據本發明的又一實施例的發光器件結構圖。?

符號說明：?

第一半導體層141、241、341、441、541、641；

焊盤121、221、321、421、521、621；

擴展電極122、222、322、422、522、622、623；

發光部142、242、342、542；