[發明專利]一種低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310716704.4 | 申請日： | 2013-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN103695872A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 林媛;馮大宇;吉彥達;靳立彬 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C18/12 | 分類號： | C23C18/12;H01B3/10 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低介電 損耗 cacu sub ti 12 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，包括以下步驟：
（1）分別將含鈣鹽、銅鹽、鈦鹽的混合液與水溶性高分子混合，得到含鈣絡合物的混合液、含銅絡合物的混合液、含鈦絡合物的混合液，然后按照含鈣絡合物、含銅絡合物、含鈦絡合物的摩爾比為1:3:4的比例，配制含鈣銅鈦的混合液，作為制備CaCu3Ti4O12薄膜的前驅液；
（2）將基片放入管式爐中，升溫至900℃保持10小時后，隨爐自然降溫至室溫；
（3）采用旋涂的方法將含鈣銅鈦的前驅液均勻涂布在步驟（2）處理后的基片上，并置于干燥箱中烘干，得到含鈣銅鈦的薄膜樣品；
（4）將步驟（3）中得到的含鈣銅鈦的薄膜樣品放入高壓爐中，調節高壓爐中氣體氣氛，使高壓爐中保持0.35～0.75Mpa壓強范圍的高純氧，在900℃下對薄膜樣品進行燒結處理，然后隨爐自然降溫至室溫，得到低介電損耗的CaCu3Ti4O12薄膜。
2.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述基片為LaAlO3[100]基片。
3.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述旋涂過程中先經過低速800轉/分鐘旋轉6秒，再經過高速3000轉/分鐘旋轉30秒。
4.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（3）中烘干溫度為80℃，時間為30分鐘。
5.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中所述的高純氧的體積百分比為99.999%。
6.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中所述調節高壓爐中氣體氣氛的過程為：將薄膜樣品放入高壓爐中，封閉高壓爐，對爐管進行抽真空操作，然后通入體積百分比為99.999%的高純氧，繼續抽真空、通入高純氧，如此反復循環5次，將氣壓值穩定保持在0.35～0.75Mpa壓強范圍內。
7.根據權利要求1所述的低介電損耗CaCu3Ti4O12薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中所述燒結過程為：首先在30分鐘內由室溫升高到120℃保持60分鐘，再經60分鐘升溫到510℃保持90分鐘，再經40分鐘升溫到900℃保持600分鐘。
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C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
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