[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310716573.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN103824809B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾偉豪;張凡偉;方紹為;陳泓旭;李仁佑;石宗祥;丁宏哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 梁揮,祁建國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有改質(zhì)的像素電極的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

電致發(fā)光裝置是一種自發(fā)光性(Emissive)的裝置。由于電致發(fā)光裝置具有無視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度、省電、可使用于可攜式機(jī)器的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設(shè)備小型化及薄型化等等。因此，電致發(fā)光裝置具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一世代的新穎平面顯示器。

一般來說，電致發(fā)光裝置是由一上電極層、一下電極層以及夾于兩電極層之間的一發(fā)光層所組成、其中下電極層一般是采用透明導(dǎo)電材質(zhì)，以使發(fā)光層所產(chǎn)生的光線可以穿透出。下電極層通常是由像素結(jié)構(gòu)中的像素電極構(gòu)成。然而，一般需以多道光罩工藝來制作像素結(jié)構(gòu)，其中有多層絕緣層存在于像素電極與基板之間，因此當(dāng)光線由像素電極往基板方向穿透出時(shí)，容易造成電致發(fā)光裝置的光源顯示強(qiáng)度不足以及色偏等現(xiàn)象發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其工藝簡(jiǎn)單而且像素結(jié)構(gòu)可具有理想的光源顯示強(qiáng)度。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下的步驟。于一基板上依序形成一半導(dǎo)體材料層以及一第一金屬層。圖案化第一金屬層以形成一源極以及一漏極，且圖案化半導(dǎo)體材料層以形成一通道層以及一像素圖案，其中源極以及漏極設(shè)置于通道層上。于基板上形成一第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋通道層、源極、漏極以及像素圖案。于通道層上方的第一絕緣層上形成一柵極。于基板上形成一第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋柵極以及第一絕緣層。于第一絕緣層以及第二絕緣層中形成一像素開口，像素開口暴露出像素圖案的至少一部分區(qū)域。對(duì)像素開口所暴露出的像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)以形成與漏極電性連接的一像素電極。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中對(duì)該像素開口所暴露出的該像素圖案的至少一部分區(qū)域進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氮?dú)馔嘶鸸に嚒?/p>

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該半導(dǎo)體材料層的材料包括In_(2-x)M3_(x)O₃[Zn_(1-y)M2_(y)O]_mN_(z)，其中0≦x≦2，0≦y≦1，0≦m<6，0≦z≦1，M2與M3各自獨(dú)立為Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y或La。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該源極、該漏極、該通道層以及該像素圖案是以同一道光罩工藝形成。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中還包括形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第一絕緣層中并分別暴露出該源極以及該漏極；以及形成該柵極、一源極連接線以及一漏極連接線于該第一絕緣層上，且該源極連接線透過該第一接觸窗連接該源極，以及該漏極連接線透過該第二接觸窗連接該漏極。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在圖案化該第一金屬層時(shí)，還包括形成一儲(chǔ)存電容的一下電極，該第一絕緣層覆蓋該下電極，并且于該下電極上方的該第一絕緣層上形成對(duì)應(yīng)該下電極的該儲(chǔ)存電容的一上電極。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下的步驟。于一基板上形成一半導(dǎo)體材料層。圖案化半導(dǎo)體材料層以形成一通道圖案以及一像素圖案，其中通道圖案包含一第一區(qū)域與分別位于第一區(qū)域兩側(cè)的第二區(qū)域。于通道圖案上形成一第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋通道圖案的第一區(qū)域。于第一絕緣層上形成一柵極。形成一金屬層，覆蓋于該通道圖案的該等第二區(qū)域以及柵極。對(duì)金屬層進(jìn)行改質(zhì)以使金屬層形成一金屬氧化物層，并且與金屬層接觸的該等第二區(qū)域形成彼此分離的一源極以及一漏極，而與金屬層接觸的像素圖案形成一與漏極電性連接的像素電極。于基板上形成一第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋源極、漏極、柵極以及像素電極。于第二絕緣層以及金屬氧化層中形成一像素開口，像素開口暴露出像素電極的至少一部分區(qū)域。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中對(duì)該金屬層進(jìn)行改質(zhì)的方法包括一氧氣退火工藝。

上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該半導(dǎo)體材料層的材料包括In_(2-x)M3_(x)O₃[Zn_(1-y)M2_(y)O]_mN_(z)，其中0≦x≦2，0≦y≦1，0≦m<6，0≦z≦1，M2與M3各自獨(dú)立為Mg、Ca、Sr、Hf、Zn、Sn、B、Al、Ga、Y或La。