[發明專利]一種選擇器及其制造方法

有效

• 申請號: 201310714436.2
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN104733509B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 郭亮良;黃河;劉煊杰;駱凱玲
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;B81B7/02;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種選擇器的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成鈍化層；

在所述鈍化層上形成具有隔離槽的第一金屬層，所述隔離槽將所述第一金屬層分隔為分別與形成在所述半導體襯底上的CMOS的漏極、柵極和源極連通的三個部分；

沉積形成犧牲層，以覆蓋具有所述隔離槽的所述第一金屬層；

在所述犧牲層的與所述第一金屬層的連通所述漏極的部分相接觸的部分中形成凹槽；

沉積第二金屬層，以覆蓋具有所述凹槽的所述犧牲層，并執行化學機械研磨直至露出所述犧牲層，以形成與所述選擇器的懸臂梁的末端相連的觸點；

在所述犧牲層中形成溝槽，以露出所述第一金屬層的連通所述源極的部分；

沉積用于構成所述懸臂梁的鍺硅層，以完全填充所述溝槽并覆蓋所述犧牲層和所述觸點；

去除所述鍺硅層的位于所述觸點之外的部分，以暴露部分所述犧牲層；

刻蝕去除所述犧牲層，以在所述懸臂梁和所述第一金屬層之間形成氣隙。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成具有隔離槽的所述第一金屬層的步驟包括：在所述鈍化層上沉積形成所述第一金屬層；在所述第一金屬層上形成具有所述隔離槽的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，通過蝕刻形成具有隔離槽的所述第一金屬層；通過灰化去除所述光刻膠層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，還包括執行另一化學機械研磨平坦化所述犧牲層的頂部的步驟。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層的構成材料為氧化物，所述第一金屬層和所述第二金屬層的構成材料為不會受到雙氧水腐蝕攻擊的材料，所述犧牲層的構成材料為鍺。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的構成材料為鋁，沉積構成所述第二金屬層的鋁的溫度為240-300℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過調整沉積所述鍺硅層時的工藝參數或者實施所述沉積的同時原位摻雜雜質來調節所述懸臂梁所具有的應力。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕的刻蝕液為熱的雙氧水，溫度為80-100℃。

8.一種采用如權利要求1-7中的任一方法制造的選擇器。