[發(fā)明專(zhuān)利]用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310714247.5
• 申請(qǐng)日: 2013-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104726929A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉劍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 劉劍
• 主分類(lèi)號(hào): C30B13/20
• 分類(lèi)號(hào): C30B13/20
• 代理公司: 無(wú)
• 代理人: 無(wú)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅芯區(qū)熔法拉制設(shè)備技術(shù)，尤其涉及一種用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置。

背景技術(shù)

區(qū)熔硅單晶是制作各種探測(cè)器、傳感器的關(guān)鍵原材料，其市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)也很明顯。采用高阻區(qū)熔硅制造微波單片集成電路以及微電子機(jī)械系統(tǒng)等高端微電子器件，顯示出巨大的應(yīng)用前景。硅芯的拉制例如區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法，前者主要用于鍺、砷化鎵等材料的提純和單晶生長(zhǎng)，后者主要用于硅，這是由于硅熔體的溫度高，化學(xué)性能活潑，容易受到異物的玷污，難以找到適合的舟皿，不能采用水平區(qū)熔法。再如，懸浮區(qū)熔法是在真空的爐室中，利用高頻線圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶硅棒的接觸處產(chǎn)生熔區(qū)，然后使熔區(qū)向上移動(dòng)進(jìn)行單晶生長(zhǎng)，由于硅熔體完全依靠其表面張力和高頻電磁力的支托，懸浮于多晶棒與單晶之間，故稱(chēng)為懸浮區(qū)熔法。

隨著全球?qū)G色能源的共識(shí)，光伏產(chǎn)業(yè)得以迅猛發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈條中的上游產(chǎn)品，多晶硅供不應(yīng)求，國(guó)內(nèi)外有實(shí)力的商業(yè)巨頭紛紛投入巨資介入多晶硅行業(yè)，發(fā)展規(guī)模越來(lái)越大，硅芯爐是多晶硅生產(chǎn)鏈條上的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，需求也越來(lái)越大。目前大量使用的硅芯爐，一次只能拉制一根硅芯，一爐次只能拉制4-6根硅芯，面對(duì)巨量的市場(chǎng)需求，需要投入大量的硅芯爐進(jìn)行生產(chǎn)，設(shè)備占地面積越來(lái)越大，人力、物力及能源消耗巨大，而能源消耗也已成為多晶硅生產(chǎn)廠家的考量指標(biāo)之一，因此，從提高設(shè)備效率，節(jié)能降耗，節(jié)約成本方面考慮，很有必要研發(fā)性能更為卓越的硅芯設(shè)備。因此，針對(duì)以上方面，需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行有效創(chuàng)新。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)以上缺陷，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)固、有利于節(jié)約生產(chǎn)成本、可使硅芯區(qū)熔法拉制更加穩(wěn)定、有利于最大限度提高單機(jī)產(chǎn)能的用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的諸多不足。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置，包括開(kāi)式聚流環(huán)、進(jìn)水管、出水管、陰極連接法蘭、陽(yáng)極連接法蘭、接地連接片，所述開(kāi)式聚流環(huán)為端部開(kāi)口的圓柱體結(jié)構(gòu)并且位于此圓柱體頂部安裝接地連接片，位于此開(kāi)式聚流環(huán)的上端面中心區(qū)域設(shè)有向內(nèi)凹陷的聚流環(huán)圓錐面，位于開(kāi)式聚流環(huán)的下端面中心區(qū)域由內(nèi)向外依次設(shè)有三個(gè)環(huán)形化料臺(tái)階，即中心化料臺(tái)階、外圓化料臺(tái)階一和外圓化料臺(tái)階二；

在開(kāi)式聚流環(huán)的中心化料臺(tái)階位置處設(shè)置中心化料孔，在中心化料孔外部的開(kāi)式聚流環(huán)內(nèi)環(huán)繞分布七個(gè)葫蘆形拉制孔，每?jī)蓚€(gè)相鄰的葫蘆形拉制孔之間帶有一個(gè)磁場(chǎng)分割線，從而形成自中心化料孔向外圍的放射式結(jié)構(gòu)；

同時(shí)，位于七個(gè)葫蘆形拉制孔的外緣設(shè)置菱形的通水槽，位于此通水槽兩個(gè)外端依次分別開(kāi)設(shè)進(jìn)水管、出水管，此進(jìn)水管和出水管外端依次分別連接陰極法蘭和陽(yáng)極連接法蘭。

此外，所述中心化料孔外邊沿處帶有化料孔圓錐面，每個(gè)葫蘆形拉制孔外邊沿處帶有拉制孔圓錐面，所述葫蘆形拉制孔由外圓孔與內(nèi)圓孔組成，外圓孔與內(nèi)圓孔相交處設(shè)置圓弧過(guò)渡面；每個(gè)火柴形磁場(chǎng)分割線的外端分別設(shè)有圓弧形的孔。

所述開(kāi)式聚流環(huán)外緣面通過(guò)氬弧紫銅焊接通水槽，使通水槽與開(kāi)式聚流環(huán)形成一體，所述陰極連接法蘭與陽(yáng)極連接法蘭為菱形或半圓形，位于接地連接片外部連接接地裝置。

本發(fā)明所述的用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置的有益效果為：該高頻感應(yīng)線圈裝置結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，可使硅芯區(qū)熔法拉制更加穩(wěn)定、有利于最大限度提高單機(jī)產(chǎn)能，大大提高了硅芯的生產(chǎn)效率，降低了單根硅芯的能耗，減少了人力與物力的投入，從而降低了多晶硅生產(chǎn)過(guò)程的成本。

附圖說(shuō)明

下面根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置的側(cè)面剖視圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述用于七根硅芯生產(chǎn)帶葫蘆形拉制孔的高頻感應(yīng)線圈裝置的下端面部分化料臺(tái)階部分示意圖。

圖中：

1、開(kāi)式聚流環(huán)；2、進(jìn)水管；3、出水管；4、陰極連接法蘭；5、陽(yáng)極連接法蘭；6、接地連接片；7、葫蘆形拉制孔；8、拉制孔圓錐面；9、磁場(chǎng)分割線；10、聚流環(huán)圓錐面；11、中心化料孔；12、化料孔圓錐面；13、通水槽；14、外圓化料臺(tái)階一；15、外圓化料臺(tái)階二。

具體實(shí)施方式