[發(fā)明專利]一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310714245.6
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103713357B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王苗慶
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興中科通信設(shè)備有限公司
• 主分類號: G02B6/126
• 分類號: G02B6/126;G02B6/14;G02B6/138
• 代理公司: 紹興市越興專利事務(wù)所(普通合伙)33220
• 代理人: 蔣衛(wèi)東

1.一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：包括硅襯底、覆蓋在硅襯底上表面的二氧化硅層、硅波導(dǎo)層和金屬條層，其中，所述硅波導(dǎo)層的橫截面呈“L”形，其下表面生長或鍵合在二氧化硅層的上表面上，上表面形成一高臺面和一低臺面，金屬條層覆蓋在硅波導(dǎo)層的低臺面上。

2.如權(quán)利要求1所述的一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述硅波導(dǎo)層的寬度為250-600納米，高度為250-600納米。

3.如權(quán)利要求1所述的一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：金屬條層的金屬條寬度與硅波導(dǎo)層低臺面的寬度一致，在80-250納米之間。

4.如權(quán)利要求3所述的一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述金屬條層為金、銀、鋁或銅的其中一種，金屬條層厚度為30-100納米。

5.如權(quán)利要求1所述的一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：上述硅波導(dǎo)層低臺面的高度為100-300納米。

6.如權(quán)利要求1所述的一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器，其特征在于：上述硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器長度為1-10微米。

7.一種硅基光波導(dǎo)偏振轉(zhuǎn)換器的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）在SOI晶片上涂覆光刻膠；

2）用光刻機進行曝光；

3）用光刻膠顯影液進行顯影，得到光刻膠上的圖形；

4）利用干法刻蝕工藝將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到硅，形成具有一個高臺面的硅波導(dǎo)層；

5）利用去膠劑或者氧等離子體刻蝕去掉剩余光刻膠；

6）在硅波導(dǎo)層高臺面上涂覆光刻膠；

7）用光刻機進行對準曝光；

8）用光刻膠顯影液進行顯影，在硅波導(dǎo)上得到光刻膠上的圖形；

9）利用干法刻蝕工藝將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到硅，形成硅波導(dǎo)層的低臺面；

10）通過金屬薄膜蒸發(fā)工藝在上一步工藝后的樣品低臺面上制備金屬薄膜；

11）利用剝離工藝獲得僅附著在硅波導(dǎo)低臺面上的金屬條層。