[發明專利]一種背透反射式像素單元以及平板傳感器

有效

• 申請號: 201310714171.6
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103928477B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 鄭婭潔
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

1.一種背透反射式像素單元，其特征在于，包括：

數據線、與數據線交叉絕緣的掃描線、開關結構、光電二極管結構以及第一金屬層，其中所述第一金屬層構成所述背透反射式像素單元的不透光區域，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關結構和所述光電二極管結構，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層遮擋的區域構成所述背透反射式像素單元的透光區域，所述第一金屬層是獨立的一層金屬；

所述光電二極管結構包括第一電極；

所述背透反射式像素單元還包括：位于所述第一電極與所述第一金屬層之間的絕緣層，所述第一電極和所述第一金屬層構成所述背透反射式像素單元的存儲電容的兩個電極。

2.根據權利要求1所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述透光區域位于所述像素單元的一側，所述不透光區域位于所述像素單元的另一側。

3.根據權利要求2所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述透光區域和不透光區域沿著所述像素單元的長邊方向排列。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述開關結構為TFT開關結構；

所述第一電極與所述TFT開關結構的漏極相連接；

所述TFT開關結構的源極與所述數據線相連接，所述TFT開關結構的柵極與所述掃描線相連接，所述柵極與所述第一金屬層電性絕緣，所述柵極與所述第一電極電性絕緣。

5.根據權利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一金屬層位于所述TFT開關結構的柵極下方，所述光電二極管結構位于所述TFT開關結構上方。

6.根據權利要求1所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述絕緣層的材料為氮化硅或二氧化硅。

7.根據利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述光電二極管結構還包括：與所述第一電極對應的第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的光電導層，其中，所述第二電極的材料為透明導電材料。

8.根據利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一電極的材料為金屬。

9.根據利要求8所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一金屬層的材料與所述第一電極的材料相同。

10.一種平板傳感器，其特征在于，包括如權利要求1-9中任一項所述的背透反射式像素單元。