[發(fā)明專利]起光學(xué)作用的帶有透明覆蓋層的層系統(tǒng)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310713524.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN103882405A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡斯滕·多伊斯;貝恩特·泰歇特;約爾格·奈德哈特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馮·阿德納有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/30
• 分類號(hào): C23C16/30;F24J2/48
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 鄒璐;安翔

1.起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)布置在基底（S）上并且包括至少帶有功能層的功能層排列以及布置在所述功能層排列上的覆蓋層排列，該覆蓋層排列帶有至少一個(gè)由含有硅和氧的介電材料構(gòu)成的覆蓋層（DS、DS'、DS''），其特征在于，所述覆蓋層（DS、DS'、DS''）含有硅、鈦、氧、碳以及可選地含有氫作為主要的組成部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述層系統(tǒng)是太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)，所述太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)在所述功能層排列中包括吸收層（AS）并且所述太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)的組成為Si_xTi_1-xO_yC_zH_a的覆蓋層（DS、DS'、DS''）具有0<x<1，0.5<y≤2，0≤z≤2且0<=a<=2×z的化學(xué)計(jì)量參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述吸收層（AS）具有組成為CrO_x或CrN_x或CrO_xN_y或者組成為TiO_x或TiN_x或TiO_xN_y的至少一個(gè)子層（AS'、AS''）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述層系統(tǒng)是鏡層系統(tǒng)，所述鏡層系統(tǒng)在所述功能層排列中包括金屬反射層（RS）并且所述鏡層系統(tǒng)的組成為Si_xTi_1-xO_yC_zH_a的覆蓋層（DS、DS'、DS''）具有0<x<1，1<y≤2，0≤z≤2且0<=a<=2×z的化學(xué)計(jì)量參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述覆蓋層排列包括至少一個(gè)低折射的透明層，所述低折射的透明層在550nm波長(zhǎng)的情況下具有小于1.6的折射率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述低折射的透明層是帶有0.5<xn<1，1<yn≤2且0≤zn≤2的化學(xué)計(jì)量參數(shù)的Si_xnTi_1-xnO_ynC_znH_an組成的覆蓋層（DS、DS'、DS''）。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述覆蓋層排列在所述低折射的層之上包括高折射的透明層，所述高折射的透明層在550nm波長(zhǎng)情況下具有大于1.9的折射率。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述高折射的透明層是帶有0<xh<0.5，1<yh≤2且0≤zh≤2的化學(xué)計(jì)量參數(shù)的Si_xhTi_1-xhO_yhC_zhH_ah的組成的覆蓋層（DS、DS'、DS''）。

9.用于制造根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其中，所述層系統(tǒng)的層相繼地在基底（S）上通過(guò)PVD和/或CVD制成并且組成為Si_xTi_1-xO_yC_zH_a的覆蓋層（DS、DS'、DS''）通過(guò)PECVD制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其特征在于，為了所述覆蓋層（DS、DS'、DS''）的等離子產(chǎn)生，使用至少一個(gè)含有鈦的電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的用于制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其特征在于，至少一個(gè)含鈦的前體被供應(yīng)給用于制造所述覆蓋層（DS、DS'、DS''）的PECVD過(guò)程。