[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310713498.1
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103700670A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 孫宏達;陳海晶
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

在LCD（Liquid?Crystal?Display，液晶顯示器）陣列基板和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode，有機發(fā)光二極管）陣列基板的制作過程中，導電圖形刻蝕不均勻將會對陣列基板的顯示性能造成影響，例如陣列基板常常使用氧化銦錫（ITO）來制作像素電極，但是在沉積ITO時，容易因長期濺射導致的溫度升高而形成ITO結晶，隨ITO薄膜的厚度增加，這種現(xiàn)象愈加明顯，由于晶態(tài)ITO的刻蝕比較困難，因此在隨后刻蝕ITO薄膜形成像素電極的圖形時，容易發(fā)生ITO殘留。

如圖1所示為較常見的陣列基板結構，在襯底基板4上制作包括柵電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層等在內的陣列基板各膜層3之后進行鈍化層2和ITO層1的制作。ITO經(jīng)過構圖工藝后，理想的狀況如圖2所示，在相鄰保留ITO薄膜的區(qū)域7（也即為相鄰ITO圖形區(qū)域）之間的去除ITO薄膜的區(qū)域5的ITO膜層應該被完全去除，露出下面的鈍化層。但是，在刻蝕ITO層形成像素電極圖形的時候，由于晶態(tài)ITO的刻蝕比較難，如圖3所示，經(jīng)常出現(xiàn)刻蝕不完全的情況，在區(qū)域7將保留ITO薄膜形成電極，在區(qū)域5將去除ITO薄膜露出下面的鈍化層，但是由于晶態(tài)ITO的刻蝕難度大于常態(tài)ITO的刻蝕難度，在區(qū)域7的周邊區(qū)域6，仍然會遺留有ITO晶粒。區(qū)域7的周邊區(qū)域6遺留的ITO晶粒如果過多會使相鄰像素的像素電極之間電連接，嚴重影響陣列基板的電學性能，增加了陣列基板整體性能的不可控性，最終將會影響顯示裝置的顯示效果。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠保證在刻蝕后導電圖形的周邊無殘留，減小了刻蝕殘留對顯示裝置的性能的影響。

為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在制作導電圖形之前，利用制作導電圖形的掩膜板對所述導電圖形之下的絕緣層進行構圖；

沉積導電層，利用制作導電圖形的掩膜板對所述導電層進行構圖形成所述導電圖形。

進一步地，所述利用制作導電圖形的掩膜板對所述導電圖形之下的絕緣層進行構圖包括：

形成絕緣層的第一圖形；

在形成有所述絕緣層的第一圖形的基板上涂覆光刻膠，利用制作導電圖形的掩膜板對所述光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域對應于所述導電圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域對應于所述導電圖形以外的區(qū)域，進行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；

通過刻蝕工藝刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的部分絕緣層，剝離剩余的光刻膠，形成所述絕緣層的與所述導電圖形對應的第二圖形，所述第二圖形的邊緣處存在有斜坡。

進一步地，所述導電圖形下的絕緣層厚度大于其他區(qū)域處的絕緣層厚度。

進一步地，所述利用制作導電圖形的掩膜板對所述導電層進行構圖形成所述導電圖形包括：

在所述絕緣層上沉積導電層；

在所述導電層上涂覆光刻膠，利用制作導電圖形的掩膜板對所述光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域對應于所述導電圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域對應于所述導電圖形以外的區(qū)域，進行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；

通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的導電層，剝離剩余的光刻膠，形成所述導電圖形。

進一步地，所述導電圖形為源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、柵電極、柵線或像素電極。

本發(fā)明實施例還提供了一種利用以上述方法制作的陣列基板，至少一導電圖形之下的絕緣層包括有與所述導電圖形對應的絕緣層圖形，所述導電圖形與所述絕緣層圖形的邊緣對齊。

進一步地，所述導電圖形下的絕緣層厚度大于其他區(qū)域處的絕緣層厚度

進一步地，與所述導電圖形對應的絕緣層圖形的邊緣存在有斜坡。

進一步地，所述導電圖形為源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、柵電極、柵線或像素電極。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本發(fā)明的實施例具有以下有益效果：