[發明專利]一種氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法

無效

• 申請號: 201310713492.4
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103700736A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 梁萌;楊華;劉志強;郭恩卿;伊曉燕;王軍喜;王國宏;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，包括如下步驟：

步驟1：在第一基板上生長氮化鎵基外延膜，所述氮化鎵基外延膜包含n型氮化物、有源層、p型氮化物；

步驟2：制作隔離槽把氮化鎵基外延膜分離成多個氮化鎵基單元器件；

步驟3：通過金屬中間層將待剝離的氮化鎵基單元器件與第二基板相結合，不需剝離的區域懸空于第二基板上，或在不需剝離區域與第二基板之間的間隙和隔離槽中填充保護材料；

步驟4：通過激光剝離方法將所有待剝離的單元器件從第一基板上剝離，轉移到第二基板上形成氮化鎵基單元器件的陣列。

2.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟1中所述第一基板是藍寶石襯底。

3.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述待剝離的氮化鎵基單元器件與第二基板相結合的方式為共晶焊或回流焊。

4.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟2中所述隔離槽通過激光劃槽、濕法腐蝕或干法刻蝕制作而成。

5.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述金屬中間層包含電極層以及粘接層。

6.如權利要求5所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中所述電極層包含待剝離的氮化鎵基單元器件的p型電極。

7.如權利要求5所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中所述電極層包含待剝離的氮化鎵基單元器件的p型電極和n型電極。

8.如權利要求5所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中所述粘接層是Au層或者AuSn合金層。

9.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述金屬中間層僅形成于待剝離的氮化鎵基單元器件上。

10.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述第二基板是Si基板或者陶瓷基板。

11.如權利要求1所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述保護材料為聚酰亞胺、二氧化硅、環氧樹脂或絕緣硅膠。

12.一種化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，包括如下步驟：

步驟1：在第一基板上生長化合物半導體外延膜；

步驟2：制作隔離槽把化合物半導體外延膜分離成多個單元器件；

步驟3：通過金屬中間層將待剝離的單元器件與第二基板相結合，不需剝離的區域懸空于第二基板上，或在不需剝離區域與第二基板之間的間隙和隔離槽中填充保護材料；

步驟4：通過激光剝離方法將所有待剝離的單元器件從第一基板上剝離，轉移到第二基板上形成單元器件的陣列。

13.如權利要求12所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟1中所述第一基板是藍寶石襯底。

14.如權利要求12所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述待剝離的氮化鎵基單元器件與第二基板相結合的方式為共晶焊或回流焊。

15.如權利要求12所述的氮化鎵基外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟2中所述隔離槽通過激光劃槽、濕法腐蝕或干法刻蝕制作而成。

16.如權利要求12所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述金屬中間層包含電極層以及粘接層。

17.如權利要求16所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中所述電極層包含待剝離的氮化鎵基單元器件的p型電極。

18.如權利要求16所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中所述電極層包含待剝離的氮化鎵基單元器件的p型電極和n型電極。

19.如權利要求16所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中所述粘接層是Au層或者AuSn合金層。

20.如權利要求12所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述金屬中間層僅形成于待剝離的氮化鎵基單元器件上。

21.如權利要求12所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述第二基板是Si基板或者陶瓷基板。

22.如權利要求12所述的化合物半導體外延膜的選區激光剝離方法，其中步驟3中所述保護材料為聚酰亞胺、二氧化硅、環氧樹脂或絕緣硅膠。