[發明專利]一種平板顯示裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 201310713104.2 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN104733470A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 萬陽 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種第一電極結構可有效降低電源線電壓降以及防止電源線斷路的平板顯示裝置。
背景技術
有源矩陣平板顯示裝置,利用薄膜晶體管(英文全稱Thin?Film?Transistor,簡稱TFT),搭配電容存儲信號,來控制像素的亮度和灰階表現,具有可大尺寸化,較省電,高解析度,面板壽命較長等特點,因此在顯示技術領域得到了高度重視。
有源矩陣平板顯示裝置的每個像素包括開關晶體管、驅動晶體管、電容等,由像素電路中的電源線將公共電源輸送給驅動晶體管和電容器,點亮像素。隨著有源矩陣平板顯示裝置尺寸的增大,像素電路中導線長度增加,從而使得導線中電阻值增大,增加了電源線中的電壓降,這就造成通過電源線流向到各個像素的電流不均勻,嚴重影響了每個像素顯示亮度的均勻性。
同時,隨時人們對有機發光顯示裝置分辨率要求的提高,單位面積內像素數量(即Pixels?per?inch,簡稱PPI)的增多,迫使像素電路中導線的截面尺寸越來越小,進一步增加了電源線的電阻值,加劇了像素顯示亮度的不均勻性。
發明內容
為此,本發明所要解決的是現有平板顯示裝置中電源線電壓降嚴重,嚴重影響像素顯示亮度的均勻性的問題,提供一種第一電極結構可有效降低電源線電壓降以及防止電源線斷路的平板顯示裝置。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案如下:
本發明所述的一種平板顯示裝置,包括:
基板;
設置在所述基板上方的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管進一步包括有源層、柵極層、源/漏電極層,以及將所述有源層、所述柵極層及所述源/漏電極層彼此分開的一層或多層絕緣層;
形成在所述基板上的掃描線、數據線和電源線;
形成在所述基板上方的顯示單元,所述顯示單元進一步包括第一電極和第二電極,所述第一電極與所述薄膜晶體管的源極或漏極電連接;
與所述第一電極同層形成有由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形,所述導電圖形與所述第一電極不相連;所述導電圖形與所述電源線并聯。
所述導電圖形與所述電源線形成在不同的層上。
所述導電圖形與所述第一電極由相同材料形成。
所述導電圖形是鋁、鎂、銀、氧化銦錫中的一種或多種形成的堆疊層。
組成所述導電圖形的所述導線的截面寬度為1-10微米。
所述有源層為非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物層中的一種。
所述基板上還直接形成有緩沖層,所述薄膜晶體管設置在所述緩沖層上。
所述絕緣層上還直接形成有覆蓋所述源/漏電極層的平坦化層。
本發明所述的一種平板顯示裝置的制備方法,包括如下步驟:
S1、在基板上制備薄膜晶體管的有源層、柵極層、源/漏電極層,以及將有源層、柵極層、源/漏電極層彼此分開的一層或多層絕緣層;
S2、將源/漏電極層圖案化,形成與有源層接觸連接的源極和漏極,以及掃描線、數據線和電源線;
S3、在基板上形成導電層,并圖案化形成第一電極和由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形,導電圖形與第一電極不相連,導電圖形與電源線并聯,第一電極與漏極或所述源極電連接。
步驟S3中所述導電層是鋁、鎂、銀、氧化銦錫中的一種或多種形成的堆疊層。
步驟S3中所述導線的橫截面寬度為1-10微米。
步驟S1中所述有源層為非晶硅層、多晶硅層或金屬氧化物層中的一種。
步驟S1還包括在所述基板上直接形成緩沖層的步驟。
步驟S3之后還包括在所述第一電極上形成顯示單元的步驟。
步驟S2還包括在所述絕緣層上直接形成覆蓋所述源/漏電極層的平坦化層的步驟,步驟S3中所述的導電層直接形成在所述平坦化層上。
本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點:
1、本發明所述的一種平板顯示裝置,與第一電極同層形成有由若干相連或不相連的導線組成的導電圖形,導電圖形與第一電極不相連;通過導電圖形與電源線并聯,實現電源線電阻的有效降低,減小電源線的電壓降,提高所述平板顯示裝置的顯示均勻性,從而提升使用品質。
2、本發明所述的一種平板顯示裝置,導電圖形與電源線并聯,且不形成在同一層中,雙層走線降低了電源線斷線風險,提高了所述平板顯示裝置的可修復性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





