[發明專利]至少包含銦和鎵的氧化物的蝕刻液以及蝕刻方法有效
| 申請號: | 201310713080.0 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103911159B | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發明(設計)人: | 竹內秀范;夕部邦夫;岡部哲;臼井麻里 | 申請(專利權)人: | 三菱瓦斯化學株式會社 |
| 主分類號: | C09K13/06 | 分類號: | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 至少 包含 氧化物 蝕刻 以及 方法 | ||
1.一種蝕刻液,其為用于蝕刻至少包含銦和鎵的氧化物的蝕刻液,包含硫酸或其鹽、以及除了草酸以外的羧酸或其鹽,所述蝕刻液的pH值為0.4以下,其中,除了草酸以外的羧酸或其鹽為選自由乙醇酸、乳酸、丙二酸、馬來酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸以及檸檬酸所組成的組的一種以上。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液,其特征在于,硫酸或其鹽的濃度為0.5~20質量%、羧酸或其鹽的濃度為0.1~15質量%。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻液,其進而包含pH調節劑。
4.根據權利要求3所述的蝕刻液,其中,pH調節劑為選自由甲磺酸和氨基磺酸所組成的組的一種以上。
5.根據權利要求1或2所述的蝕刻液,其中,進而包含多磺酸化合物。
6.根據權利要求5所述的蝕刻液,其特征在于,多磺酸化合物為選自由萘磺酸甲醛縮合物及其鹽、聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽、以及聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鹽所組成的組的一種以上。
7.根據權利要求1或2所述的蝕刻液,其中,氧化物為膜厚1~1000nm的薄膜。
8.一種至少包含銦和鎵的氧化物的蝕刻方法,其特征在于,使用權利要求1~6的任一項所述的蝕刻液。
9.根據權利要求8所述的蝕刻方法,其中,氧化物為膜厚1~1000nm的薄膜。
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