[發(fā)明專利]一種用于LED的晶圓級封裝的芯片轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310712946.6
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103647012B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁萌;楊華;劉志強;伊?xí)匝?/a>;王軍喜;王國宏;李晉閩
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，包括如下步驟：

步驟1：在LED外延片上，通過芯片工藝制作LED的單元器件；單元器件之間存在隔離槽，相互隔離；

步驟2：選擇單元器件陣列的部分，在其上制作金屬層，作為鍵合時的中間金屬層；制作有中間金屬層的單元器件陣列構(gòu)成待鍵合單元器件陣列，所述的中間金屬層是Au層或者AuSn合金層，厚度為1-3微米；

步驟3：在一基板的正面制作金屬圖案，該金屬圖案與待鍵合單元器件陣列的電極相對應(yīng)；

步驟4：通過鍵合的方式，把待鍵合單元器件陣列倒裝在基板上；

步驟5：采用激光剝離的方式，對選擇剝離的LED單元器件依次進(jìn)行剝離，使得外延層與襯底分離，該分離后的外延層與基板形成完整的薄膜LED陣列，完成LED芯片轉(zhuǎn)移。

2.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟1中所述的LED外延片是以藍(lán)寶石為襯底的GaN基外延片。

3.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟1中所述的芯片工藝包括光刻、清洗、刻蝕、電極制作、鈍化、磨拋。

4.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟2中所述的中間金屬層只制作在待鍵合單元器件的p、n電極上。

5.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟3中所述的基板為一導(dǎo)熱性良好的材料。

6.如權(quán)利要求5所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟3中所述的基板為硅基板或陶瓷基板。

7.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：在步驟3中所述的基板中制作有導(dǎo)電通孔，使基板正面和底面的相對金屬圖形互聯(lián)。

8.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟3中所述的金屬圖案與待鍵合單元器件陣列相對應(yīng)，所述金屬圖案的金屬是Au層或者AuSn合金層，厚度為0.1-3微米。

9.如權(quán)利要求1所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟3中所述的金屬圖案下面存在導(dǎo)熱通道，該導(dǎo)熱通道貫穿基板，實現(xiàn)基板正面金屬圖案與背面金屬焊盤電連接。

10.如權(quán)利要求9所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法，其特征在于：步驟3中所述的導(dǎo)熱通道的填充物是銅或其他材料。

11.如權(quán)利要求1-10任一所述的用于LED的晶圓級封裝的芯片制造方法制造得到的晶圓級封裝芯片。

12.一種LED燈的制造方法，先通過如權(quán)利要求1-11任一所述的方法制造用于LED的晶圓級封裝的芯片，再繼續(xù)完成涂敷熒光粉、制作透鏡以及切割工序后得到LED燈。

13.如權(quán)利要求12所述的LED燈的制造方法制造得到的LED燈。