[發(fā)明專利]基于單根氧化鋅納米線的光電響應(yīng)探測器及制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310712821.3 | 申請日: | 2013-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN103928561A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許劍;程抱昌 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/102 | 分類號: | H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330031 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 氧化鋅 納米 光電 響應(yīng) 探測器 制備 方法 | ||
1.基于單根氧化鋅納米線的光電響應(yīng)探測器,其特征是包含單根氧化鋅納米線(1)、基板(2)、金屬電極(3)、導(dǎo)線(4)、聚合物封裝層(5);單根氧化鋅納米線(1)放置在基板(2)上,其兩端焊上金屬電極(3),在金屬電極(3)兩端焊上導(dǎo)線(4),然后用聚合物封裝層(5)將整個單根氧化鋅納米線(1)封裝在基板上(2);
所述的金屬電極為金、銀或鋁;
所述的基板為氧化鋁或氮化鋁陶瓷基板;
所述的聚合物封裝層為聚二甲基硅氧烷或聚二甲基硅氧烷。
2.權(quán)利要求1所述的光電響應(yīng)探測器的制備方法,其特征是在平整的基板上放置單根氧化鋅納米線,在其兩端焊接金屬電極,并在金屬電極上焊接導(dǎo)線,將其放置在可控溫的加熱平臺上加熱2小時,使其固化并冷卻后,用封裝材料將單根氧化鋅納米線封裝在基板上,接著放入在90℃恒溫箱保溫中10~12小時。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





