[發(fā)明專利]一種疏水溶液及解決片式元件外電極漿料流掛的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310712504.1
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103773226A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊日章;王清華;陳先仁
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳順絡(luò)電子股份有限公司
• 主分類號: C09D183/04
• 分類號: C09D183/04;C09D5/00;B05D1/18;B05D3/00;B05D5/08
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種疏水溶液，包括以下組分：

以上百分比均為體積百分比，其中，所述冰醋酸的體積百分濃度小于等于2%，所述鹽酸的體積百分濃度小于等于4%。

2.一種解決片式元件外電極漿料流掛的方法，其特征在于：在制作外電極前將待制作外電極的元件進行以下預(yù)處理：

S1、疏水處理：將待制作外電極的元件浸泡并完全淹沒于疏水溶液中，以使所述元件的外表面被所述疏水溶液覆蓋包裹，其中，所述疏水溶液包括按體積百分比計量的0.5%～8%的辛烷基三乙氧基硅烷、1.0%～5.0%的正硅酸乙酯、85%～98%的異丙醇、0.1%～0.4%的鹽酸以及0.4%～2.0%的冰醋酸，其中所述冰醋酸的體積百分濃度小于等于2%，所述鹽酸的體積百分濃度小于等于4%；

S2、吹干：將經(jīng)步驟S1疏水處理過的元件在300℃以下吹干。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：步驟S1中，所述元件在所述疏水溶液中的浸泡時間為5-10min。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：步驟S2中，吹干的方式為：將所述元件倒入傾斜式吹干籃中以60-100r/min轉(zhuǎn)速在40℃以下吹干。

5.如權(quán)利要求2至4任一項所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理還包括：

S3、研磨倒角：將步驟S2中吹干后的元件置于倒角罐中，并加入與元件同體積的水和元件體積的1/4～3/4的研磨介質(zhì)，采用倒角機進行研磨倒角。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述倒角機為行星倒角機，并且以80-120r/min的轉(zhuǎn)速對元件研磨倒角5-8min。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理還包括：

S4、分離：完成步驟S3后，采用與元件、所述研磨介質(zhì)尺寸相匹配的目數(shù)的篩網(wǎng)在水中將所述研磨介質(zhì)和元件分離。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理還包括：

S5、烘干：將經(jīng)步驟S4分離得到的元件在300℃以下烘干。