[發明專利]成膜方法有效
| 申請號: | 201310712445.8 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103882408B | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發明(設計)人: | 立花光博;池川寬晃;和村有;尾谷宗之;小川淳;高橋宏輔 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/40;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方法 | ||
1.一種成膜方法,其利用成膜裝置在多個基板上形成在含有規定的第1元素的第1氧化膜中摻雜第2元素而成的摻雜氧化膜;
上述成膜裝置包括:
旋轉臺,其以能夠旋轉的方式收容在腔室內,具有能夠在上表面載置上述多個基板的載置部;
第1處理區域,其在上述旋轉臺的上述上表面的上方被劃分而成,具有用于朝向上述旋轉臺的上述上表面供給氣體的第1反應氣體供給部;
第2處理區域,其沿著上述旋轉臺的圓周方向與上述第1處理區域分開地配置,具有用于向上述旋轉臺的上述上表面供給氣體的第2反應氣體供給部;以及
分離區域,其設于上述第1處理區域和上述第2處理區域之間,具有分離氣體供給部和頂面,該分離氣體供給部用于向上述旋轉臺的上述上表面供給分離氣體,該頂面相對于上述旋轉臺的上述上表面形成用于將來自該分離氣體供給部的上述分離氣體向上述第1處理區域和上述第2處理區域引導的狹窄的空間,
其中,該成膜方法包括以下工序:
第1成膜工序,在從上述第1反應氣體供給部供給含有上述第1元素的第1反應氣體、從上述第2反應氣體供給部供給氧化氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉規定圈數,在上述基板上形成含有上述第1元素的第1氧化膜;以及
摻雜工序,在從上述第1反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給部中的一者供給含有上述第2元素的第2反應氣體、從上述第1反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給部中的另一者供給非活性氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉規定圈數,在上述第1氧化膜上摻雜上述第2元素,
其中,在上述摻雜工序的前后分別具有第1吹掃工序及第2吹掃工序,在該第1吹掃工序及第2吹掃工序中,在從上述第1反應氣體供給部供給上述分離氣體、從上述第2反應氣體供給部供給非活性氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉,以及
在上述第1成膜工序和上述摻雜工序之間具有這樣的第1后氧化工序:在從上述第1反應氣體供給部供給上述分離氣體、從上述第2反應氣體供給部供給上述氧化氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉至少1圈。
2.根據權利要求1所述的成膜方法,其中,
在上述第1成膜工序之前具有這樣的預氧化工序:在從上述第1反應氣體供給部供給上述分離氣體、從上述第2反應氣體供給部供給上述氧化氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉至少1圈。
3.根據權利要求2所述的成膜方法,其中,
以上述預氧化工序、上述第1成膜工序、上述第1后氧化工序、上述第1吹掃工序、上述摻雜工序及上述第2吹掃工序為1個循環,將該循環重復規定次數,形成在含有上述規定的第1元素的第1氧化膜上層疊摻雜有上述第2元素的層的層疊膜來作為上述摻雜氧化膜。
4.根據權利要求3所述的成膜方法,其中,
在將上述循環重復了上述規定次數之后,將上述預氧化工序、上述第1成膜工序及上述第1后氧化工序各進行1次,然后結束上述摻雜氧化膜的成膜。
5.根據權利要求2所述的成膜方法,其中,
在上述第2吹掃工序之后還具有這樣的第1反應氣體供給工序:在從上述第1反應氣體供給部供給上述第1反應氣體、從上述第2反應氣體供給部供給非活性氣體、從上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下,使上述旋轉臺旋轉規定圈數,
在該第1反應氣體供給工序之后返回到上述第1成膜工序,進行循環。
6.根據權利要求5所述的成膜方法,其中,
以上述第1成膜工序、上述第1后氧化工序、上述第1吹掃工序、上述摻雜工序、上述第2吹掃工序及上述第1反應氣體供給工序為1個循環,將該循環重復規定次數,形成在含有上述規定的第1元素的氧化膜上層疊摻雜有上述第2元素的層的層疊膜來作為上述摻雜氧化膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





