[發明專利]成膜方法

有效

• 申請號: 201310711879.6
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103882406B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 池川寬晃;上西雅彥;高橋宏輔;小堆正人;小川淳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種成膜方法，在該成膜方法中，使用成膜裝置在多個基板上形成含有規定的第1元素和第2元素的氧化膜，上述成膜裝置包括：旋轉臺，其以能夠旋轉的方式收納在腔室內，并具有能夠在上表面載置多個基板的載置部；第1處理區域，其被劃分在上述旋轉臺的上述上表面的上方，具有用于朝向上述旋轉臺的上述上表面供給氣體的第1氣體供給部；第2處理區域，其以沿著上述旋轉臺的周向與上述第1處理區域分開的方式配置，具有用于對上述旋轉臺的上述上表面供給氣體的第2氣體供給部；以及分離區域，其設于上述第1處理區域與上述第2處理區域之間，具有分離氣體供給部和頂面，該分離氣體供給部用于對上述旋轉臺的上述上表面供給分離氣體，該頂面與上述旋轉臺的上述上表面之間形成有用于將來自該分離氣體供給部的上述分離氣體向上述第1處理區域和上述第2處理區域引導的狹窄空間，其中，

該成膜方法包括以下工序：

第1工序，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給氧化氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉至少1周；

第2工序，在自上述第1氣體供給部供給含有上述第1元素的第1反應氣體、自上述第2氣體供給部供給氧化氣體并自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉第1規定周數，從而在上述基板上形成含有上述第1元素的第1氧化膜；

第3工序，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給上述氧化氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉至少1周；以及

第4工序，在自上述第1氣體供給部供給含有上述第2元素的第2反應氣體、自上述第2氣體供給部供給上述氧化氣體并自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉第2規定周數，從而在上述基板上形成含有上述第2元素的第2氧化膜。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

以上述第1工序～第4工序為1個循環，以規定次數反復進行該循環而形成上述第1氧化膜和上述第2氧化膜的層壓構造。

3.根據權利要求2所述的成膜方法，其中，

在以上述規定次數反復進行上述循環之后，進行上述第1工序和第2工序，接著，進行第5工序和第6工序，

在第5工序中，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給上述氧化氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉至少1周，

在第6工序中，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給非活性氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉規定周數。

4.根據權利要求3所述的成膜方法，其中，

上述第5工序進行的時間長于上述第1工序進行的時間和第3工序進行的時間。

5.根據權利要求2所述的成膜方法，其中，

在以上述規定次數反復進行上述循環之后，進行第5工序和第6工序，

在第5工序中，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給上述氧化氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉至少1周，

在第6工序中，在自上述第1氣體供給部和上述分離氣體供給部供給上述分離氣體并自上述第2氣體供給部供給非活性氣體的狀態下使上述旋轉臺旋轉規定周數。

6.根據權利要求5所述的成膜方法，其中，

上述第5工序進行的時間長于上述第1工序進行的時間和第3工序進行的時間。

7.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

上述第1規定周數多于上述第2規定周數，上述第1氧化膜形成得厚于上述第2氧化膜。

8.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

上述第1元素和第2元素是金屬元素或半導體元素。

9.根據權利要求8所述的成膜方法，其中，

上述金屬元素是Hf、Zr、Al、Ti、Sr中的任意一種元素，上述半導體元素是Si。

10.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

上述氧化氣體是O₃氣體。

11.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

上述分離氣體是非活性氣體。