[發明專利]改型惠斯通半橋電路及傳感器

無效

• 申請號: 201310708848.5
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103645448A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 葉友忠
• 申請（專利權）人: 葉友忠
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.?一種改型惠斯通半橋電路，包括兩個半橋電阻單元，兩個半橋電阻單元的一端經第一連接導體電連接，兩個半橋電阻單元的另一端分別設有第二連接導體和第三連接導體，其特征在于：其中至少一個半橋電阻單元由至少兩個電阻支路并聯構成，兩個半橋電阻單元的電阻不對稱性不大于±5%。

2.?根據權利要求1所述的改型惠斯通半橋電路，其特征在于：兩個半橋電阻單元中，一個半橋電阻單元由一個電阻支路構成，另一個半橋電阻單元由兩個電阻支路并聯構成，該兩個電阻支路的另一端由第二連接導體電連接。

3.?根據權利要求1或2所述的改型惠斯通半橋電路，其特征在于：每個電阻支路為一個電阻或者由多個電阻串聯或并聯構成。

4.?一種傳感器，其特征在于：設有權利要求1至4中任一權利要求所述的改型惠斯通半橋電路，所述兩個半橋電阻單元由能感應被檢測信號而產生電阻值變化的敏感電阻構成。

5.?根據權利要求4所述的傳感器，其特征在于：所述敏感電阻為磁阻，各個磁阻的磁場敏感方向相同或相反設置，構成磁傳感器。

6.?根據權利要求5所述的傳感器，其特征在于：所述磁阻選自隧道磁阻、巨磁阻、各向異性磁阻、或霍爾磁阻。

7.?根據權利要求5或6所述的傳感器，其特征在于：設有偏置磁場，所述磁阻的磁場敏感方向與偏置磁場方向相同或相反設置，構成具有偏置磁場的磁傳感器。

8.?根據權利要求7所述的傳感器，其特征在于：所述偏置磁場為梯度場,磁阻的磁場敏感方向相同且被布置在偏離零偏置磁場且偏置磁場梯度較小的位置，同時磁阻不被偏置磁場飽和。

9.?根據權利要求8所述的傳感器，其特征在于：所述偏置磁場采用南極-北極-南極或北極-南極-北極組合，磁阻被偏置在南極與北極之間偏置磁場梯度較小且磁阻隨偏置磁場增加的位置。