[發(fā)明專利]一種可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能的電子元件支架裝置及其鑄造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310708693.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104733362A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何玉潤(rùn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安興儀科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H01L21/203 |
| 代理公司: | 西安智萃知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 61221 | 代理人: | 李東京 |
| 地址: | 710075 陜西省西安市西高新科*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 實(shí)現(xiàn) 對(duì)準(zhǔn) 功能 電子元件 支架 裝置 及其 鑄造 方法 | ||
1.一種可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能的電子元件支架裝置及其鑄造方法,包括頂端的圓弧狀元件頭、處于元件頭內(nèi)部的晶片和頂端的支架,其特征在于:所述晶片的上表面一側(cè)與圓弧狀元件頭相支撐,所述晶片通過(guò)金線鑲嵌在環(huán)氧樹(shù)脂膠頭內(nèi)部,所述晶片與支架之間形成多條用于切割金線的溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能的電子元件支架裝置及其鑄造方法,其特征在于:所述圓弧狀元件頭為圓滑弧狀結(jié)構(gòu)為環(huán)氧樹(shù)脂材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能的電子元件支架裝置及其鑄造方法,其特征在于:所述支架表面設(shè)有絕緣膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)功能的電子元件支架裝置及其鑄造方法,其特征在于:所述電子元件支架采用物理方法和化學(xué)方法相結(jié)合的鑄造工藝,其中濺射和離子束濺射方法提高了釬焊連接后的準(zhǔn)確度和精確性。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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