[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310707244.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN103647000A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳婧;龍巍;蔡蔚;林洪峰;趙秀生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天威新能源控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 謝敏

1.一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：包括以下步驟：

（1）采用濃度為2%~10%的NaOH溶液去除硅片表面的機(jī)械損傷層，反應(yīng)時(shí)間為20~40秒；

（2）將濃度為0.001%~0.005%AgNO₃溶液和濃度為0.2~1%的HF溶液混合，混合之后的溶液沉積納米銀顆粒至硅片表面，反應(yīng)時(shí)間為60~100秒；

（3）將濃度為10%~15%?HF溶液與濃度為2%~5%?H₂O₂溶液混合，混合之后的溶液與沉積有納米銀顆粒的硅片反應(yīng)，在納米銀顆粒周圍的硅片上形成孔洞，反應(yīng)時(shí)間為30~50秒；

（4）用濃HNO₃溶液去除硅片表面孔洞內(nèi)殘留的納米銀顆粒，反應(yīng)時(shí)間為100~150秒；

（5）用濃度為5%~10%的HF溶液去除硅片表面的氧化層，反應(yīng)時(shí)間為10~20秒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（1）中NaOH溶液的溫度為60~100℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（2）中AgNO₃溶液的濃度為0.001%~0.003%，HF溶液的濃度為0.5%~0.8%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所示步驟（3）中HF溶液的濃度為10%~13%，H₂O₂溶液的濃度為3%~4%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（3）中形成的孔洞的直徑為50~100nm，深度為200~300nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（3）中相鄰孔洞的間距為100~200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（4）中的反應(yīng)時(shí)間為120~150秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝，其特征在于：所述步驟（5）中HF溶液的濃度為5%~6%。