[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310706859.X | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104733639A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟;何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。現有的有機電致發光器件中,電子傳輸速率都要比空穴傳輸速率低兩三個數量級,因此,極易造成激子復合幾率的低下,并且,使其復合的區域不在發光區域,從而使發光效率降低。
發明內容
基于此,有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極導電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述空穴注入層形成于所述陽極導電基底的陽極層表面,所述電子注入層包括層疊于所述電子傳輸層表面的第一摻雜層及層疊于所述第一摻雜層表面的第二摻雜層,所述第一摻雜層的材料包括富勒烯衍生物、電子傳輸材料及鎂的化合物,所述第二摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及低功函數金屬,所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯,所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑],所述鎂的化合物為氟化鎂、氧化鎂或硫化鎂,所述低功函數金屬為功函數為-2.0eV~-3.5eV的金屬。
在其中一個實施例中,所述第一摻雜層的厚度為20nm~50nm,所述第二摻雜層的厚度為20nm~80nm。
在其中一個實施例中,所述第一摻雜層中,所述富勒烯衍生物、所述電子傳輸材料及所述鎂的化合物的質量比為5:1:1~20:10:1。
在其中一個實施例中,所述第二摻雜層中,所述富勒烯衍生物與所述低功函數金屬的質量比為3:1~6:1。
在其中一個實施例中,所述低功函數金屬為鎂、鍶、鈣或鐿。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在陽極導電基底的陽極層表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層;
在所述電子傳輸層的表面蒸鍍制備電子注入層,所述電子注入層包括層疊于所述電子傳輸層表面的第一摻雜層及層疊于所述第一摻雜層表面的第二摻雜層,所述第一摻雜層的材料包括富勒烯衍生物、電子傳輸材料及鎂的化合物,所述第二摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及低功函數金屬,所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯,所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑],所述鎂的化合物為氟化鎂、氧化鎂或硫化鎂,所述低功函數金屬為功函數為-2.0eV~-3.5eV的金屬;及
在所述第二摻雜層的表面蒸鍍制備陰極。
在其中一個實施例中,所述第一摻雜層的厚度為20nm~50nm,所述第二摻雜層的厚度為20nm~80nm。
在其中一個實施例中,所述第一摻雜層中,所述富勒烯衍生物、所述電子傳輸材料及所述鎂的化合物的質量比為5:1:1~20:10:1。
在其中一個實施例中,所述第二摻雜層中,所述富勒烯衍生物與所述低功函數金屬的質量比為3:1~6:1。
在其中一個實施例中,所述低功函數金屬為鎂、鍶、鈣或鐿。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





