[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310706647.1
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733626A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件領域，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發(fā)光(Organic?Light?Emission?Diode)，以下簡稱OLED，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是國內外眾多研究者的關注重點。

但是，傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，電子傳輸速率比空穴傳輸速率低兩三個數(shù)量級，因此發(fā)光效率都較低。

發(fā)明內容

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件發(fā)光效率低的問題，提供一種發(fā)光效率高的有機電致發(fā)光器件。

進一步，提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層包括層疊于所述電子傳輸層上的金屬硫化物層，層疊于所述金屬硫化物層上的富勒烯摻雜層及層疊于所述富勒烯摻雜層上的金屬硫化物層；所述金屬硫化物層的材料為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅；所述富勒烯摻雜層的材料包括富勒烯衍生物和金屬，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述金屬的功函數(shù)為-2.0～-3.5eV；所述金屬硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物和空穴摻雜客體材料，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅。

在其中一個實施例中，所述富勒烯衍生物與所述金屬的質量比為5:1～10:1，所述金屬硫化物與所述空穴摻雜客體材料的質量比為20:1～30:1。

在其中一個實施例中，所述金屬為鎂、鍶、鈣或鐿。

在其中一個實施例中，所述空穴摻雜客體材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-對苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-銨）三苯胺或二萘基-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺。

在其中一個實施例中，所述金屬硫化物層的厚度為1nm～10nm，所述富勒烯摻雜層的厚度為20nm～60nm，所述金屬硫化物摻雜層的厚度為30nm～80nm。

在其中一個實施例中，所述陽極的厚度為50nm～300nm，所述空穴注入層的厚度為20nm～80nm，所述空穴傳輸層的厚度為20nm～60nm，所述發(fā)光層的厚度為5nm～40nm，所述電子傳輸層的厚度為40nm～250nm，所述陰極的厚度為80nm～250nm。

上述有機電致發(fā)光器件的電子注入層包括依次層疊的金屬硫化物層、富勒烯摻雜層及金屬硫化物摻雜層。其中，金屬硫化物層中的金屬硫化物可提高膜層平整度，且在可見光范圍內透過率較高，可有效提高光纖的透過率。富勒烯摻雜層中的富勒烯衍生物可提高膜層的成膜性，且是富電子材料，有利于提高電子傳輸速率，低功函數(shù)金屬則可降低電子的注入勢壘，有利于電子的注入，提高電子注入能力，同時，載流子較多，可提高電子的傳輸速率。金屬硫化物摻雜層中的金屬硫化物則可對光進行反射，提高光的反射效率，從而提高出光效率，而空穴摻雜客體材料的HOMO能級很低，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子復合而發(fā)生淬滅，有利于提高器件的發(fā)光效率。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在玻璃基底上磁控濺射制備陽極；

在所述陽極上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上依次蒸鍍制備金屬硫化物層、富勒烯摻雜層和金屬硫化物摻雜層，得到層疊于所述電子傳輸層上的電子注入層，其中，所述金屬硫化物層的材料為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅，所述富勒烯摻雜層的材料包括富勒烯衍生物和金屬，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述金屬的功函數(shù)為-2.0～-3.5eV，所述金屬硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物和空穴摻雜客體材料，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂或硫化銅；及

在所述金屬硫化物摻雜層上蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。

在其中一個實施例中，所述在玻璃基底上磁控濺射制備陽極之前，還包括對玻璃基底進行清洗的步驟；所述清洗的步驟為：將所述玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇清洗，于異丙醇中浸泡12～24小時。