[發明專利]減壓干燥裝置以及減壓干燥方法有效
| 申請號: | 201310706279.0 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103903959A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 柿村崇 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/38 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本京都市上京區堀川*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 減壓 干燥 裝置 以及 方法 | ||
1.一種減壓干燥裝置,對基板進行減壓干燥處理,所述基板包括第1主面及第2主面,并且在所述第1主面上涂布有包含溶劑的涂布液,所述減壓干燥裝置的特征在于,包括:
腔室,收納所述基板;
支撐部,在所述腔室內以水平姿勢支撐所述基板;
排氣部,通過向所述腔室內開口的排氣口而對所述腔室內進行排氣;
供氣部,通過向所述腔室內開口的供氣口而對所述腔室內供氣;以及
控制部,控制所述排氣部的所述排氣以及所述供氣部的所述供氣,并且
在所述供氣口中,包含至少一個一側供氣口,所述至少一個一側供氣口沿規定的水平方向,從被所述支撐部支撐的所述基板的中心觀察時向一側的第1空間區域內開口,
在所述腔室內進行所述基板的減壓干燥之后,所述控制部控制所述供氣部而使所述腔室內壓力恢復時,使用所述一側供氣口對所述腔室內供氣,由此至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流,所述單向氣流沿所述水平方向,從所述第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
2.根據權利要求1所述的減壓干燥裝置,其特征在于:關于所述腔室的內部空間,當以規定為所述壓力恢復時的所述基板的高度的虛擬水平面為邊界,定義出所述第1主面側的第1部分空間與所述第2主面側的第2部分空間時,所述一側供氣口設置于所述第2部分空間,并且向所述第1部分空間開口。
3.根據權利要求2所述的減壓干燥裝置,其特征在于:所述排氣口設置于所述第2部分空間,所述一側供氣口在水平面觀察時,在較所述排氣口更靠所述腔室的側壁側開口,在結束所述減壓干燥而轉入至所述壓力恢復時,所述控制部控制所述供氣部以及所述排氣部的動作順序,以成為如下時序關系:在所述排氣口位置的排氣壓消失之前,在所述一側供氣口的位置的供氣壓上升。
4.根據權利要求2所述的減壓干燥裝置,其特征在于:所述一側供氣口在水平面觀察時,在較所述壓力恢復時的所述基板的存在位置更靠所述腔室的側壁側開口,并且朝向從垂直軸往所述基板側傾斜的方向開口。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的減壓干燥裝置,其特征在于:所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向排列的多個點狀的開口。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的減壓干燥裝置,其特征在于:所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向延伸的狹縫狀的開口。
7.一種減壓干燥方法,對基板進行減壓干燥處理,所述基板包括第1主面及第2主面,并且在所述第1主面上涂布有包含溶劑的涂布液,所述減壓干燥方法的特征在于,包括:
減壓步驟,對以水平姿勢收納有所述基板的腔室內進行減壓;以及
壓力恢復步驟,在所述減壓步驟之后,使所述腔室內壓力恢復,并且
在所述壓力恢復步驟中,至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流,所述單向氣流在所述腔室內,沿規定的水平方向,從所述基板的中心觀察時從一側的第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





