[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310706165.6
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733624A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及有機電致發光領域，尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

1987年，美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件（OLED）。10V下亮度達到1000cd/m2，其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。

在傳統的有機電致發光領域中，電子傳輸速率都要比空穴傳輸速率低兩三個數量級，因而極易造成激子復合幾率的低下，并且使其復合的區域不在發光區域，從而導致發光效率降低。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

所述電子注入層包括依次層疊的雙極性金屬氧化物摻雜層、富勒烯摻雜層和低功函數金屬層，所述雙極性金屬氧化物摻雜層與所述電子傳輸層直接接觸；

所述雙極性金屬氧化物摻雜層的材料為質量比為2～6：1的雙極性金屬氧化物和功函數為-4eV～-5.5eV的金屬的混合物；

所述富勒烯摻雜層的材料為質量比為2～10：1的富勒烯及其衍生物與所述雙極性金屬氧化物的混合物；

所述低功函數金屬層的材料為功函數為-2eV～-3.5eV的金屬。

在一個實施例中，所述雙極性金屬氧化物為MoO₃、WO₃或V₂O₅，所述功函數為-4eV～-5.5eV的金屬為Ag、Al、Pt或Au，所述雙極性金屬氧化物摻雜層的厚度為20nm～40nm。

在一個實施例中，所述富勒烯及其衍生物為C60、C70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯，所述富勒烯摻雜層的厚度為30nm～80nm。

在一個實施例中，所述功函數為-2eV～-3.5eV的金屬為Mg、Sr、Ca或Yb，所述低功函數金屬層的厚度為1nm～10nm。

在一個實施例中，所述陽極為銦錫氧化物薄膜、摻鋁的氧化鋅薄膜或摻銦的氧化鋅薄膜，所述陽極的厚度為50nm～300nm；

所述陰極的材料為Ag、Al、Pt或Au，所述陰極的厚度為80nm～250nm。

在一個實施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩，所述空穴注入層的厚度為20nm～80nm。

在一個實施例中，所述空穴傳輸層的材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺，所述空穴傳輸層的厚度為20nm～60nm，

在一個實施例中，所述發光層的材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁，所述發光層的厚度為5nm～40nm。

在一個實施例中，所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述電子傳輸層的厚度為40nm～250nm。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟：

對基底進行表面預處理；

在所述基底上磁控濺射制備陽極；

在所述陽極上依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上依次蒸鍍形成雙極性金屬氧化物摻雜層、富勒烯摻雜層和低功函數金屬層，所述雙極性金屬氧化物摻雜層、所述富勒烯摻雜層和所述低功函數金屬層組成電子注入層，所述雙極性金屬氧化物摻雜層的材料為質量比為2～6：1的雙極性金屬氧化物和功函數為-4eV～-5.5eV的金屬的混合物，所述富勒烯摻雜層的材料為質量比為2～10：1的富勒烯及其衍生物與所述雙極性金屬氧化物的混合物，所述低功函數金屬層的材料為功函數為-2eV～-3.5eV的金屬；

在所述低功函數金屬層上蒸鍍形成陰極，得到所述有機電致發光器件。