[發明專利]無引線球腳表貼式厚膜混合集成電路的集成方法

有效

• 申請號: 201310706157.1
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103646906A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 楊成剛;黃曉山;蘇貴東;趙曉輝
• 申請（專利權）人: 貴州振華風光半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L21/60
• 代理公司: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106
• 代理人: 劉安寧

1.?無引線球腳表貼式厚膜混合集成電路集成方法，其基本工藝是常規的厚膜混合集成電路制作工藝，其特征在于：采用在陶瓷基片上，直接將厚膜混合集成電路對外連接端制作在陶瓷基片的底面，對外連接端為金屬球面形；在陶瓷基片的正面進行混合集成，對厚膜導帶、厚膜阻帶、厚膜電容、厚膜電感采用絕緣介質厚膜進行密封、絕緣保護，對半導體裸芯片采用絕緣介質漿料進行涂封和固化保護；具體做法是取消原有集成方法的封帽工序，增加如下工序：

⑴??在厚膜導帶印刷前增加基片通孔打孔工序；?

⑵??在進行導帶印刷的同時，進行通孔金屬漿料填充；

⑶??阻帶修調完畢后，進行絕緣介質漿料印刷，采用三氧化二鋁陶瓷漿料，燒結成膜；

⑷??在介質膜燒結完畢后，采用高壓金絲打火或印刷金漿料再回流的方法形成金焊接球；

⑸??在已組裝和鍵合后的半導體裸芯片區域涂封絕緣介質漿料，采用低溫固化玻璃漿料進行涂封。

2.??如權利要求1所述的集成方法，其特征在于所述基片通孔打孔的孔徑精度控制在0.1μm以內。

3.??如權利要求1所述的集成方法，其特征在于所述燒結成膜的工藝條件是：溫度為650℃、燒結時間60min，在氮氣保護環境中進行燒結。

4.??如權利要求1所述的集成方法，其特征在于所述低溫固化的工藝條件是：溫度為400℃、45min，在氮氣保護環境中完成固化涂封。