[發明專利]一種分級子陣聚焦MVDR波束形成方法在審
| 申請號: | 201310706004.7 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104730513A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 李崢;黃海寧 | 申請(專利權)人: | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號: | G01S7/539 | 分類號: | G01S7/539 |
| 代理公司: | 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318 | 代理人: | 楊小蓉;楊青 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 分級 聚焦 mvdr 波束 形成 方法 | ||
1.一種分級子陣聚焦MVDR波束形成方法,該方法將普通快速頻域寬帶波束形成算法與子陣聚焦MVDR算法結合起來,首先由快速頻域寬帶波束形成完成對目標方位粗測,再劃分子陣,最終由子陣聚焦MVDR算法完成對目標方位的精測,實現快速高精度的波束形成。
2.根據權利要求1所述的分級子陣聚焦MVDR波束形成方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
1)首先,對線列陣聲納裝置接收到的數據通過一次時域FFT變換和空域相位補償,完成快速寬帶頻域波束形成,完成對目標方位的初步估計;
2)然后,對普通波束形成曲線進行峰值檢測,發現目標后,對頻域陣列信號進行子陣劃分,并且只對目標附近的方位做子陣聚焦MVDR波束形成,進行二次方位檢測,得到更精確的目標方位。
3.根據權利要求2所述的分級子陣聚焦MVDR波束形成方法,其特征在于,所述線列陣聲納裝置由多個水聽器陣元組成,是一條拖曳陣或是舷側陣;設水聽器陣元數目N,陣元間距d,目標入射方向θ,陣元接收信號表示為x(t),信號頻帶范圍為fmin~fmax;聲速為c,數據快拍長度為L。
4.根據權利要求3所述的分級子陣聚焦MVDR波束形成方法,其特征在于,所述方法的具體步驟如下:
11)線列陣數據輸入;
線列陣聲納裝置接收空間信號,得到M個陣元的時域信號,取L采樣點長度的數據形成一個數據快拍,作為數據輸入:
X(t)=[x1(k)?x2(k)?…?xM(k)]T;
其中,xm(k)=[xm(1)?xm(2)?…?xm(L)];
12)快速寬帶頻域波束形成;
對數據快拍X(t)在頻帶范圍fmin~fmax內做快速頻域寬帶波束形成:
首先,對陣列信號X(t)的每一個陣元信號做時域FFT,截取fmin~fmax范圍的頻域信號表示如下:
X(f)=[x1(f)?x2(f)?…?xM(f)]T;
其中,xm(f)=[xm(fmin)?…?xm(fmax)];
對不同頻率分量fi構造導引矢量:
然后,進行相位補償,得到各個頻率分量的波束輸出:
y(f,θl)=w(fi,θl)X(f);
最后,將不同頻率分量的各個波束輸出進行平方相加得到波束圖:
21)一次方位檢測;
對于波束曲線PCBF(θl)(l=1,2,…,180°)進行方位檢測,首先,對波束曲線進行峰值檢測,對每一個峰值計算檢測系數DT:
其中,PCBF(θpeak)表示目標峰值,E[PCBF(θl)]表示波束曲線的均值,δ[PCBF(θl)]表示波束曲線的起伏值;
假設檢測到了Q個目標,方位分別表示為θq(k=1,2,…,Q);
22)子陣聚焦MVDR波束形成;
對檢測到的每個目標θq(k=1,2,…,Q),對其附近的方位做子陣聚焦MVDR波束形成:
將線列陣劃分為N個子陣,每個子陣含有Ms個陣元,則有
最后,一個子陣長度為:
定義x'n(t)表示第n個子陣的時域陣列信號,則第n個子陣接收信號的頻域矢量X'n表示為:
其中,Xm(f)=[Xm(f1)?Xm(f2)?…?Xm(fK)],K表示頻率分量的數目;
對觀測方向θ,構造頻點fk對應的子陣方向矢量為:
對各子陣頻域陣列信號作波束方向相位補償,得到子陣輸出波束為:
Yn(θ)=[Yn(θ,f1)?Yn(θ,f2)?…?Yn(θ,fK)];
其中,Yn(θ,fk)=aH(θ,fk)X'n(fk);
將Yn(θ)視為第n個虛擬陣元的陣元信號,則虛擬陣的陣列信號表示為:
Y(θ)=[Y1(θ);?Y2(θ);?…;?YN(θ)];
按照平面波假設,以第一個子陣為基準,對每一個子陣進行延時聚焦:
其中,
這樣,得到子陣聚焦對齊后虛擬陣的協方差矩陣估計為:
其中,
則θ方向的輸出功率譜估計為:
其中,最優權向量
23)對子陣聚焦MVDR得到的波束曲線PSA-MVDR(θ)進行二次方位檢測,得到更精確的目標方位θq'(k=1,2,…,Q)并輸出。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院聲學研究所;,未經中國科學院聲學研究所;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310706004.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





